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1. (WO1999050893) PROCEDE D'EXPOSITION ET SYSTEME D'EXPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/050893    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/001564
Date de publication : 07.10.1999 Date de dépôt international : 26.03.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.10.1999    
CIB :
G03F 9/00 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; Fuji Building 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
OTA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OTA, Kazuya; (JP)
Mandataire : OMORI, Satoshi; Omori Patent Office 2075-2-501, Noborito, Tama-ku Kawasaki-shi Kanagawa 214-0014 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/83696 30.03.1998 JP
Titre (EN) EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE SYSTEM
(FR) PROCEDE D'EXPOSITION ET SYSTEME D'EXPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)An exposure method in which when a probe of e.g. an atomic force microscope is relatively scanned to conduct alignment, the frequency of the use of the probe is decreased and hence deterioration of throughput is prevented. Before registration exposure for forming an image of a pattern on a reticle (R) onto shot regions on a wafer (W) by means of a projection optical system (PL), the wafer (W) is aligned while measuring the position of a wafer mark on the wafer (W) by means of an alignment sensor (35). Next, an image of a predetermined vernier on the reticle (R) is formed on a predetermined main scale for registration measurement near the shot regions on the wafer (W). The projections and recesses formed by the main scale in the resist on the wafer (W) and the projections and recesses formed by the latent image of the vernier are detected by relative scanning of the probe (40) of an atomic force microscope (39), thus determining the amount of misalignment. Based on the amount of misalignment, the wafer alignment is corrected before exposure.
(FR)L'invention concerne un procédé d'exposition dans lequel lorsqu'une sonde par exemple d'un microscope de force atomique effectue un balayage pour procéder à un alignement, la fréquence de l'utilisation de la sonde est réduite et par conséquent on empêche la détérioration du débit. Avant l'exposition de cadrage pour former une image d'un motif sur un réticule (R) sur les régions d'une plaquette (W) touchées par un système optique de projection (PL), la plaquette (W) est alignée tout en mesurant la position d'une marque sur la plaquette (W) à l'aide d'un capteur d'alignement (35). Ensuite, une image d'un vernier prédéterminé sur le réticule (R) est formée sur une échelle principale prédéterminée afin d'effectuer une mesure de cadrage près des régions touchées sur la plaquette (W). Les parties saillantes et les parties en creux formées par l'échelle principale dans le résist sur la plaquette (W) et les parties saillantes, ainsi que les parties en creux formées par l'image latente du vernier sont détectées par un balayage relatif de la sonde (40) d'un microscope de force atomique (39), déterminant ainsi le degré de désalignement. Sur la base du degré de désalignement, l'alignement de la plaquette est corrigé avant exposition.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)