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1. (WO1999050886) PROCEDE DE CONTROLE DE CONTAMINATION ET CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/050886    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/006658
Date de publication : 07.10.1999 Date de dépôt international : 26.03.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.10.1999    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventeurs : SCHOEPP, Alan, M.; (US).
WICKER, Thomas, E.; (US).
MARASCHIN, Robert, A.; (US)
Mandataire : PETERSON, James, W.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, L.L.P. P.O. Box 1404 Alexandria, VA 22313-1404 (US)
Données relatives à la priorité :
09/050,902 31.03.1998 US
Titre (EN) CONTAMINATION CONTROLLING METHOD AND PLASMA PROCESSING CHAMBER
(FR) PROCEDE DE CONTROLE DE CONTAMINATION ET CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing chamber includes a substrate holder and a member of silicon carbide such as a liner, focus ring, perforated baffle or a gas distribution plate, the member having an exposed surface adjacent the substrate holder and the exposed surface being effective to minimize contamination during processing of substrates. The chamber can include an antenna which inductively couples RF energy through the gas distribution plate to energize process gas into a plasma state.
(FR)Chambre de traitement au plasma qui possède un support de substrats et un élément en carbure de silicium tel qu'une garniture, un anneau de concentration, un déflecteur perforé ou une plaque de distribution de gaz, ledit élément ayant une surface exposée adjacente au support de substrats et ladite surface servant à réduire à un minimum la contamination pendant le traitement des substrats. La chambre peut inclure une antenne qui couple de manière inductive de l'énergie RF à travers la plaque de distribution de gaz pour exciter le gaz de traitement et le faire passer à l'état de plasma.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)