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1. (WO1999043026) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT D'AMELIORER LA CAPACITE DE REMPLISSAGE DES ESPACES AU MOYEN DE GRAVURES EN RETRAIT CHIMIQUES ET PHYSIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/043026    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/003751
Date de publication : 26.08.1999 Date de dépôt international : 19.02.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.09.1999    
CIB :
C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : HONG, Soonil; (US).
RYU, Choon, Kun; (US).
NAULT, Michael, P.; (US).
SINGH, Kaushal, K.; (US).
LAM, Anthony; (US).
RANA, Virendra, V., S.; (US).
CONNERS, Andrew; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/025,965 19.02.1998 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING GAP-FILL CAPABILITY USING CHEMICAL AND PHYSICAL ETCHBACKS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT D'AMELIORER LA CAPACITE DE REMPLISSAGE DES ESPACES AU MOYEN DE GRAVURES EN RETRAIT CHIMIQUES ET PHYSIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method and an apparatus for depositing a dielectric layer to fill in a gap between adjacent metal lines. In preferred embodiments of the method, a first dielectric layer is deposited over the lines and subsequently etched using both chemical and physical etchback steps. After the etchback steps are completed, a second dielectric layer is deposited over the first dielectric layer to fill in the gap.
(FR)Procédé et appareil permettant de déposer une couche diélectrique pour remplir un espace existant entre deux lignes métalliques adjacentes. Dans les formes préférées de la présente invention, une première couche diélectrique est déposée sur les lignes puis attaquée ensuite dans des étapes de gravure en retrait à la fois chimique et physique. Une fois terminées les étapes de gravure en retrait, une deuxième couche diélectrique est déposée sur la première couche diélectrique pour remplir l'espace.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)