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1. (WO1999043024) PROCEDE POUR LIMITER L'INTERDIFFUSION DANS UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A GRILL COMPOSITE SI/SIGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/043024    N° de la demande internationale :    PCT/FR1999/000330
Date de publication : 26.08.1999 Date de dépôt international : 15.02.1999
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Déposants : FRANCE TELECOM [FR/FR]; 6, place d'Alleray F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
BENSAHEL, Daniel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CAMPIDELLI, Yves [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MARTIN, François [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
HERNANDEZ, Caroline [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BENSAHEL, Daniel; (FR).
CAMPIDELLI, Yves; (FR).
MARTIN, François; (FR).
HERNANDEZ, Caroline; (FR)
Mandataire : BUREAU D.A. CASALONGA JOSSE; 8, avenue Percier F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
98/02026 19.02.1998 FR
Titre (EN) METHOD FOR LIMITING INTERNAL DIFFUSION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPOSITE SI/SIGE GATE
(FR) PROCEDE POUR LIMITER L'INTERDIFFUSION DANS UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A GRILL COMPOSITE SI/SIGE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method which consists, prior to depositing the encapsulating silicon layer, in: A) depositing on the Si¿1-x?Ge¿x? layer a thin film of amorphous or polycrystalline silicon, then in treating said silicon film with gas nitric oxide at a temperature between 450 to 600 °C and at a pressure level of 10?4¿ to 10?5¿ Pa to obtain a thin nitrided silicon film; or B) depositing on the Si¿1-x?Ge¿x? layer a thin film of amorphous or polycrystalline silicon and oxidising the silicon film to form a surface film of silicon oxide less than 1 nm thick and optionally treating the oxidised amorphous or polycrystalline silicon film with nitric oxide as in A). The invention is applicable to CMOS semiconductors.
(FR)Le procédé selon l'invention consiste à, avant le dépôt de la couche de silicium d'encapsulation: A) déposer sur la couche de Si¿1-x?Ge¿x? une mince couche de silicium amorphe ou polycristallin, puis traiter la couche de silicium avec de l'oxyde nitrique gazeux à une température de 450 à 600 °C et une pression de 10?4¿ à 10?5¿ Pa pour obtenir une couche mince de silicium nitruré; ou B) déposer sur la couche de Si¿1-x?Ge¿x? une mince couche de silicium amorphe ou polycristallin et oxyder la couche de silicium pour former une couche superficielle d'oxyde de silicium d'épaisseur inférieure à 1 nm et facultativement traiter la couche de silicium amorphe ou polycristallin oxydée avec de l'oxyde nitrique comme en A). Application: aux semi-conducteurs CMOS.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)