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1. (WO1999042905) SYSTEME IMAGEUR OPTIQUE A REFLEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/042905    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/003848
Date de publication : 26.08.1999 Date de dépôt international : 22.02.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.02.1999    
CIB :
G02B 17/06 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street Oakland, CA 94602-5200 (US)
Inventeurs : SHAFER, David, R.; (US)
Mandataire : GRZYBICKI, Daryl, S.; P.O. Box 808, L-703 Livermore, CA 94550 (US)
Données relatives à la priorité :
09/027,282 20.02.1998 US
Titre (EN) REFLECTIVE OPTICAL IMAGING SYSTEM
(FR) SYSTEME IMAGEUR OPTIQUE A REFLEXION
Abrégé : front page image
(EN)An optical system compatible with short wavelength (extreme ultraviolet) radiation comprising four reflective elements for projecting a mask image onto a substrate. The four optical elements are characterized in order from object (503) to image (521) as convex (505), concave (509), convex (513) and concave mirrors (517). The optical system is particularly suited for step and scan lithography methods. The invention increases the slit dimensions associated with ringfield scanning optics, improves wafer throughput and allows higher semiconductor device density.
(FR)La présente invention concerne un système optique compatible avec les rayonnements à courte longueur d'onde (ultraviolet extrême), qui comprend quatre éléments réflecteurs destinés à projeter une image de masque sur un substrat. Les quatre éléments réflecteurs sont caractérisés en ce qu'ils sont constitués par des miroirs respectivement convexe (505), concave (509), convexe (513) et concave (517), depuis l'objet (503) jusqu'à l'image (521). Le système optique de la présente invention convient particulièrement bien aux techniques de lithographie à balayage progressif. L'invention permet d'augmenter les dimensions de la fente associée à l'optique à balayage de zone annulaire, d'accélérer la vitesse de traitement des plaquettes et d'obtenir une densité plus élevée d'intégration de dispositifs à semiconducteur.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)