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1. (WO1999042902) SYSTEMES OPTIQUES D'IMAGERIE PAR REFLEXION A DISTORSION EQUILIBREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/042902    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/003767
Date de publication : 26.08.1999 Date de dépôt international : 19.02.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.09.1999    
CIB :
G02B 17/06 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street Oakland, CA 94607-5200 (US)
Inventeurs : CHAPMAN, Henry, N.; (US).
HUDYMA, Russell, M.; (US).
SHAFER, David, R.; (US).
SWEENEY, Donald, W.; (US)
Mandataire : PALMER, John; Ladas & Parry Suite 2100 5670 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90036-5679 (US)
Données relatives à la priorité :
09/027,281 20.02.1998 US
09/094,420 09.06.1998 US
Titre (EN) REFLECTIVE OPTICAL IMAGING SYSTEMS WITH BALANCED DISTORTION
(FR) SYSTEMES OPTIQUES D'IMAGERIE PAR REFLEXION A DISTORSION EQUILIBREE
Abrégé : front page image
(EN)Optical systems compatible with extreme ultraviolet radiation (501) comprising four reflective elements (505, 509, 513, 517) for projecting a mask image onto a substrate are described. The four optical elements comprise, in order from object (503) to image (521), convex, concave, convex and concave mirrors. The optical systems are particularly suited for step and scan lithography methods. The invention enables the use of larger slit dimensions associated with ring field scanning optics, improves wafer throughput, and allows higher semiconductor device density. The inventive optical systems are characterized be reduced dynamic distortion because the static distortion is balanced across the slit width.
(FR)L'invention porte sur des systèmes optiques fonctionnant dans l'extrême UV comportant quatre éléments réfléchissant projetant une image masque sur un substrat. Les quatre éléments optiques comprennent dans l'ordre de l'objet vers l'image des miroirs convexe, concave, convexe et concave. Lesdits systèmes sont particulièrement adaptés à des procédés de lithographie par paliers et balayage. L'invention permet d'utiliser des fentes plus larges associées à une optique de balayage à champs annulaire, ce qui augmente la production des tranches et la densité d'implantation des dispositifs à semi-conducteurs. Ces systèmes se caractérisent par une réduction de la distorsion dynamique puisque la distorsion statique est équilibrée le long de la largeur de la fente.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)