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1. (WO1999042282) MATERIAUX ET COUCHES A BASE DE PBZRTIO3 MODIFIE AU NIVEAU DU SITE A ET/OU DU SITE B
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/042282    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/001025
Date de publication : 26.08.1999 Date de dépôt international : 19.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.09.1999    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive Danbury, CT 06810 (US)
Inventeurs : ROEDER, Jeffrey, R.; (US).
CHEN, Ing-Shin; (US).
BILODEAU, Steven; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; Intellectual Property/Technology Law P.O. Box 14329 Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
09/026,946 20.02.1998 US
Titre (EN) A-SITE AND/OR B-SITE MODIFIED PBZRTIO3 MATERIALS AND FILMS
(FR) MATERIAUX ET COUCHES A BASE DE PBZRTIO3 MODIFIE AU NIVEAU DU SITE A ET/OU DU SITE B
Abrégé : front page image
(EN)A modified PbZrTiO¿3? perovskite crystal material thin film, wherein the PbZrTiO¿3? perovskite crystal material includes crystal lattice A-sites and B-sites at least one of which is modified by the presence of a substituent selected from the group consisting of (i) A-site substituents consisting of Sr, Ca, Ba and Mg, and (ii) B-site substituents selected from the group consisting of Nb and Ta. The perovskite crystal thin film material may be formed by liquid delivery MOCVD from metalorganic precursors of the metal components of the thin film, to form PZT and PSZT, and other piezoelectric and ferroelectric thin film materials. The thin films of the invention have utility in non-volatile ferroelectric memory devices (NV-FeRAMs), and in microelectromechanical systems (MEMS) as sensor and/or actuator elements, e.g., high speed digital system actuators requiring low input power levels.
(FR)Une couche mince de matériau à base de cristal de pérovskite PbZrTiO¿3? modifié, lequel comprend des sites A et B à réseau cristallin, dont au moins un est modifié par la présence d'un substituant choisi dans le groupe comprenant (i) des substituants du site A, constitués de Sr, Ca, Ba et Mg, et (ii) des substituants du site B, choisis dans le groupe constitué de Nb et Ta. Le matériau en couche mince à base de cristal de pérovskite peut être formé par le dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur, sous forme liquide, à partir de précurseurs organométalliques des composants métalliques de la couche mince, de sorte que PZT et PSZT soient formés, et d'autres matériaux en couche mince ferroélectrique et piézoélectrique. Les couches mines de l'invention ont leur utilité dans les mémoires ferroélectriques rémanentes (NV-FeRAMs), et dans des systèmes microélectromécaniques (MEMS) en tant qu'éléments capteurs et/ou d'actionnement, tels que, par exemple, des actionneurs de système numérique grande vitesse nécessitant des niveaux de puissance d'entrée faibles.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)