WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1999041777) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT A CHAUD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/041777    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/000558
Date de publication : 19.08.1999 Date de dépôt international : 09.02.1999
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163-0811 (JP) (Tous Sauf US).
GYODA, Kozo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : GYODA, Kozo; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Kisaburo; Seiko Epson Corporation Intellectual Property Dept. 3-5, Owa 3-chome Suwa-shi Nagano-ken 392-8502 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/31586 13.02.1998 JP
10/37757 19.02.1998 JP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND HEAT TREATING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT A CHAUD
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing a semiconductor device for annealing stably a wafer without causing any harmful effect, such as thermal stress, in an insulating wafer and a semiconductor thin film formed on the insulating wafer and a heat treating apparatus are disclosed. The method for heat-treating a wafer (1) on which an amorphous silicon film (2) is formed comprises a heating step at which the wafer (1) is preheated by irradiating one side of the wafer (1) with intermediate infrared radiation (100) having a wavelength band of 2.5 to 5 $g(m)m, and a heat-treating step at which the amorphous silicon film (2) is annealed and crystallized at above 800 °C and below 1000 °C by irradiating the other side with near infrared radiation (200) having a wavelength band of below 2.5 $g(m)m.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur servant à recuire de manière stable une tranche sans provoquer d'effet nuisible, telle une contrainte thermique, dans une tranche isolante et dans un film mince semi-conducteur formé sur la tranche isolante; et un appareil de traitement à chaud. Le procédé de traitement à chaud d'une tranche (1) sur laquelle est formé un film (2) de silicium amorphe comporte une étape de chauffage au cours de laquelle la tranche (1) est préchauffée par l'exposition d'une face de la tranche (1) à un rayonnement (100) infrarouge intermédiaire présentant une longueur d'onde de 2,5 à 5 $g(m)m; et une étape de traitement à chaud au cours de laquelle le film (2) de silicium amorphe est recuit et cristallisé à des températures supérieures à 800 °C et inférieures à 1000 °C, par l'exposition de l'autre face à un rayonnement (200) infrarouge proche présentant une longueur d'onde inférieure à 2,5 $g(m)m.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)