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1. (WO1999041634) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/041634    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/000609
Date de publication : 19.08.1999 Date de dépôt international : 12.02.1999
CIB :
G02F 1/015 (2006.01), G02F 1/025 (2006.01)
Déposants : THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8322 (JP) (Tous Sauf US).
YOKOUCHI, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIDA, Junji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOKOUCHI, Noriyuki; (JP).
YOSHIDA, Junji; (JP)
Mandataire : NAGATO, Kanji; SKK Building, 5F 8-1, Shinbashi 5-chome Minato-ku Tokyo 105-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/33265 16.02.1998 JP
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An optical semiconductor using the Franz-Keldysh effect, which exhibits good linearity between the intensity of input light and the intensity of output light under conditions of a high intensity of input light and a high voltage supplied. The optical semiconductor device has a double heterostructure in which is formed an intrinsic semiconductor layer interposed between a first semiconductor layer of n- or p-type and a second semiconductor layer of the opposite conductivity type. The thickness of the intrinsic semiconductor layer decreases toward the direction in which light travels.
(FR)L'invention concerne un semiconducteur optique utilisant l'effet Franz-Keldysh, et présentant une bonne linéarité entre l'intensité de la lumière d'entrée et celle de la lumière de sortie, dans des conditions de lumière d'entrée d'intensité élevée, et avec une alimentation en haute tension. Le dispositif semiconducteur optique comporte une double hétérostructure dans laquelle est formée une couche semiconductrice intrinsèque, interposée entre une première couche semiconductrice du type N ou du type P, et une seconde couche semiconductrice de type à conductivité opposée. L'épaisseur de la couche semiconductrice intrinsèque décroît dans le sens de déplacemen
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)