WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1999040235) PROCEDE D'ATTAQUE CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/040235    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/000381
Date de publication : 12.08.1999 Date de dépôt international : 15.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.08.1999    
CIB :
C03C 17/23 (2006.01), C03C 17/34 (2006.01), C04B 41/53 (2006.01), C09K 13/04 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : FELDMAN TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 5 Hangar Way Watsonville, CA 95076 (US)
Inventeurs : McLEAN, Douglas; (US).
FELDMAN, Bernard; (US)
Mandataire : ZOLTICK, Martin, M.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C. Suite 400 1755 Jefferson Davis Highway Arlington, VA 22202 (US)
Données relatives à la priorité :
09/021,375 10.02.1998 US
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE CHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Method for etching metal oxide films, especially tin oxide on a substrate in which a metal (Zn) is deposited on said film and etching is performed by a mixture of an acid, such as hydrochloric acid (HC1) and a metal dissolution agent, such as ferric chloride. The hydrochloric acid reacts with the zinc to produce active hydrogen which reduces the tin oxide to tin, which in turn is etched with the hydrochloric acid.
(FR)L'invention a trait à un procédé d'attaque chimique de couches minces d'oxyde métallique, notamment de l'oxyde d'étain, sur un substrat dans lequel un métal (Zn) est déposé sur ladite couche mince et l'attaque chimique est exécuté à l'aide d'un mélange d'un acide, tel que l'acide chlorhydrique (HCl) et d'un agent de dissolution métallique, tel que le chlorure ferrique. L'acide chlorhydrique réagit avec le zinc pour produire de l'hydrogène actif réduisant l'oxyde d'étain en étain, lequel à son tour est attaqué par l'acide chlorhydrique.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)