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1. (WO1999039421) DISPOSITIF DE PROTECTION SUPPLEMENTAIRE CONTRE LES SURCHARGES DE BATTERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/039421    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/001911
Date de publication : 05.08.1999 Date de dépôt international : 29.01.1999
CIB :
H01M 2/34 (2006.01), H01M 6/50 (2006.01), H01M 10/42 (2006.01), H02H 7/18 (2006.01), H02H 9/04 (2006.01), H02J 7/00 (2006.01)
Déposants : OGLESBEE, John, W. [US/US]; (US).
BURNS, Arthur, G. [US/US]; (US).
MORE, Georgina [US/US]; (US)
Inventeurs : OGLESBEE, John, W.; (US).
BURNS, Arthur, G.; (US).
MORE, Georgina; (US)
Mandataire : FARLEY, Felipe, J.; Motorola, Inc. 1700 Belle Meade Court Lawrenceville, GA 30043 (US)
Données relatives à la priorité :
60/073,287 31.01.1998 US
60/073,279 31.01.1998 US
Titre (EN) SUPPLEMENTAL BATTERY OVERCHARGE PROTECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION SUPPLEMENTAIRE CONTRE LES SURCHARGES DE BATTERIE
Abrégé : front page image
(EN)A protection device (100) for protecting a device, such as a rechargeable battery (5), from overcharging or transient power conditions. The protection device comprises a switch protection circuit (105) consisting of a zener diode (110) and a thermal resistor (120) connected in series. The switch protection circuit (105) is for connection in parallel with output terminals of a power source, such as a battery charger. The zener diode (110) is thermally coupled to the thermal resistor (120). The switch protection circuit (105) provides supplemental protection for the device by protecting a switch, such as a field effect transistor (FET) switch (140). The source terminal of the FET switch (140) is connected to a cathode of the zener diode (110) and the drain terminal of the FET switch (140) is for connection to a terminal of device to receive power, such as rechargeable battery (5). The zener diode (110) protects the FET switch (140) from overvoltage conditions by shunting current away from the FET switch (140), and the thermal resistor (120) protects the zener diode (110) from overtemperature conditions by entering a high impedance state to effectively disconnect any supply of current when the temperature of the zener diode (110) exceeds a predetermined threshold.
(FR)L'invention concerne un dispositif de protection (100) destiné à protéger un dispositif tel qu'une batterie rechargeable (5), en cas d'alimentation transitoire ou de surcharge. Le dispositif de protection comprend un circuit de protection (105) de commutateur pourvu d'une diode Zener (110) et d'une résistance thermique (120) connectée en série. Le circuit de protection (105) de commutateur est destiné à être connecté en parallèle avec les bornes de sortie d'une source d'alimentation, telle qu'un chargeur de batterie. La diode Zener (110) est couplée thermiquement à une résistance thermique (120). Le circuit de protection (105) de commutateur offre une protection supplémentaire au dispositif, à savoir la protection d'un commutateur tel qu'un commutateur de transistor (140) à effet de champ (FET). La borne source du commutateur FET (140) est connectée à une cathode de la diode Zener (110) et la borne drain du commutateur FET (140) est connectée à une borne de dispositif récepteur d'énergie, telle qu'une batterie (5) rechargeable. La diode Zener (110) protège le commutateur FET (140) contre la surtension par dérivation du courant dudit commutateur FET (140), et la résistance thermique (120) protège la diode Zener (110) contre la surchauffe par introduction d'un état d'impédance élevée qui permet de supprimer l'alimentation en courant lorsque la température de la diode Zener (110) dépasse un seuil prédéterminé.
États désignés : CN, KP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)