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1. (WO1999039390) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE PILE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/039390    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/000257
Date de publication : 05.08.1999 Date de dépôt international : 22.01.1999
CIB :
H01L 31/075 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : CITIZEN WATCH CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163-0428 (JP) (Tous Sauf US).
YANAGIMACHI, Shinzo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YANAGIMACHI, Shinzo; (JP).
NAKAYAMA, Satoshi; (JP)
Mandataire : OSAWA, Takashi; Room 818, Ikebukuro White House Building 20-2, Higashi Ikebukuro 1-chome Toshima-ku Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/15486 28.01.1998 JP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING SOLAR CELL DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE PILE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing a solar cell device comprises forming a transparent oxide electrode (12) on the surface of an insulating substrate (10), cleaning the surface of the insulating substrate (10) and the surface of the transparent oxide electrode (12) with a halogen gas having a saturated vapor pressure higher than that of the etching gas used for forming the transparent oxide electrode (12), forming a surface treatment layer (14), a silicon nitride film (16), a p-type semiconductor layer (18), a buffer layer (20), an intrinsic layer (22), an n-type semiconductor layer (24), a metal electrode (26) in order of mention, thus forming a multilayer structure. Because of the cleaning step, the surfaces of the insulating substrate (10) and the transparent oxide electrode (12) are so clean that the transparency is high and a desired light transmittance is achieved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de pile solaire, consistant à former une électrode d'oxyde (12) transparente sur la surface d'un substrat isolant (10), à nettoyer la surface de ce substrat (10) ainsi que la surface de l'électrode d'oxyde (12) transparente avec un gaz halogène ayant une tension de vapeur saturée supérieure à celle du gaz d'attaque utilisé pour produire l'électrode d'oxyde (12) transparente; à former, en suivant l'ordre mentionné, une couche de traitement (14) de surface, un film (16) de nitrure de silicium, une couche de semi-conducteur (18) de type p, une couche tampon (20), une couche intrinsèque (22), une couche de semi-conducteur (24) de type n, une électrode métallique (26), ce qui produit une structure multicouche; Du fait du nettoyage, les surfaces du substrat isolant (10) sont amenées à un état de propreté tel que leur transparence est élevée et que la transmission de lumière désirée est réalisée.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)