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1. (WO1999038214) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR BIPOLAIRE DE TYPE A PORTE ISOLANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/038214    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/000247
Date de publication : 29.07.1999 Date de dépôt international : 22.01.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.06.1998    
CIB :
H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
MINATO, Tadaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MINATO, Tadaharu; (JP)
Mandataire : MIYATA, Kaneo; Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INSULATING GATE TYPE BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR BIPOLAIRE DE TYPE A PORTE ISOLANTE
Abrégé : front page image
(EN)An insulating gate type bipolar semiconductor device which is constituted so that an electrical resistance generated between an emitter electrode and a point near a gate electrode in an emitter impurity area can assume a prescribed value independently of a distance to the emitter impurity area which is in direct contact with the emitter electrode so as to expand a load short-circuit safe operating area without sacrificing the forward voltage drop and switching characteristic of the semiconductor device.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur bipolaire de type à porte isolante, conçu de manière à maintenir la valeur prescrite de la résistance électrique créée entre une électrode émettrice et un point situé près d'une électrode de porte dans une zone d'impuretés de l'émetteur, indépendamment de la distance jusqu'à la zone d'impuretés de l'émetteur se trouvant en contact direct avec l'électrode émettrice, et ce pour élargir la zone de fonctionnement de la charge protégée contre les courts-circuits sans sacrifier le chute de tension directe ni la caractéristique de commutation du dispositif semi-conducteur.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)