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1. (WO1999038210) PROCEDE POUR PRODUIRE DES VIAS EMPILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/038210    N° de la demande internationale :    PCT/DE1999/000133
Date de publication : 29.07.1999 Date de dépôt international : 20.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.08.1999    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
DIEWALD, Wolfgang [AT/DE]; (DE) (US Seulement).
WEBER, Detlef [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : DIEWALD, Wolfgang; (DE).
WEBER, Detlef; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
198 02 161.5 21.01.1998 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STACKED VIAS
(EN) METHOD FOR PRODUCING STACKED VIAS
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE DES VIAS EMPILES
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung von Stacked Vias für mikroelektronische Bauelemente mit den Schritten: Vorsehen einer ersten strukturierten Leiterbahnschicht (M1) auf einem Substrat (10); Vorsehen einer ersten Isolierschicht (ILD1) auf der ersten Leiterbahnschicht (M1); Bilden eines ersten Vias (V1) in der ersten Isolierschicht (ILD1) in Kontakt mit der ersten Leiterbahnschicht (M1); Vorsehen einer zweiten strukturierten Leiterbahnschicht (M2) auf der ersten Isolierschicht (ILD1) unter Freilassen eines Bereichs um das erste Via (V1); Vorsehen einer zweiten Isolierschicht (ILD2) auf der zweiten Leiterbahnschicht (M2) und dem freigelassenen Bereich um das erste Via (V1); und Bilden eines zweiten Vias (V2) in der zweiten Isolierschicht (ILD2) derart, daß es direkt auf das erste Via (V1) trifft.
(EN)The invention relates to a method for producing stacked vias for microelectronic components, comprising the following steps: a first structured printed conductor layer (M1) is provided on a substrate (10); a first insulating layer (ILD1) is provided on said first printed conductor layer (M1); a first via (V1) is formed in the first insulating layer (ILD1) in contact with the first structured printed conductor layer (M1); a second structured printed conductor layer (M2) is provided on the first insulating layer (ILD1), leaving free an area around the first via (V1); a second insulating layer (ILD2) is provided on said second printed conductor layer (M2) and on the free area around the first via (V1); and a second via (V2) is formed in the second insulating layer (ILD2) in such a way that it is in direct contact with the first via (V1).
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire des vias empilés pour des composants microélectroniques, qui comprend les étapes suivantes: préparer une couche structurée de tracés conducteurs (M1) sur un substrat (10); préparer une première couche isolante (ILD1) sur la première couche de tracés conducteurs (M1); former un premier via (V1) dans la première couche isolante (ILD1) en contact avec la première couche de tracés conducteurs (M1); préparer une seconde couche structurée de tracés conducteurs (m2) sur la première couche isolante (ILD1), une zone étant laissée dégagée autour du premier via (V1); préparer une seconde couche isolante (ILD2) sur la seconde couche structurée de tracés conducteurs (M2), une zone étant laissée dégagée autour du premier via (V1); et former un second via (V2) dans la seconde couche isolante (ILD2), de manière qu'il touche directement le premier via (V1).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)