WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1999038202) DEPOT DE POLYMERE RENFERMANT UN SILOXANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/038202    N° de la demande internationale :    PCT/GB1999/000191
Date de publication : 29.07.1999 Date de dépôt international : 20.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.07.1999    
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : TRIKON EQUIPMENTS LIMITED [GB/GB]; Coed Rhedyn Ringland Way Newport Gwent NP6 2TA (GB) (Tous Sauf US).
CARTER, Steven [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SHEARER, Christine, Janet [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CARTER, Steven; (GB).
SHEARER, Christine, Janet; (GB)
Mandataire : DUNLOP, Brian, Kenneth, Charles; Wynne-Jones, Laine & James Essex Place 22 Rodney Road Cheltenham Gloucestershire GL50 1JJ (GB)
Données relatives à la priorité :
9801359.2 23.01.1998 GB
Titre (EN) DEPOSITION OF A SILOXANE CONTAINING POLYMER
(FR) DEPOT DE POLYMERE RENFERMANT UN SILOXANE
Abrégé : front page image
(EN)There is disclosed a method of treating a substrate, which method comprises positioning the substrate in a chamber (2), introducing into the chamber in the gaseous or vapour state a silicon-containing compound, a further compound containing peroxide bonding, and a substance which associates readily the compound containing peroxide bonding, the method further comprising the step of reacting the silicon-containing compound with the further compound and the soluble substance to provide on the substrate an insulating layer. Also disclosed is an apparatus for implementing the method.
(FR)Cette invention a trait à une technique de traitement d'un substrat, consistant à placer le substrat dans une enceinte (2), à introduire dans l'enceinte un composé renfermant du silicium en phase gazeuse ou vapeur, un autre composé possédant une liaison peroxyde et une substance s'associant rapidement à ce dernier. On fait également, dans le cadre de cette technique, réagir le composé renfermant du silicium avec l'autre composé ainsi qu'avec la substance soluble afin de constituer un revêtement isolant sur le substrat. L'invention concerne également un dispositif permettant de mettre en oeuvre cette technique.
États désignés : CN, DE, GB, JP, KR, US.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)