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1. (WO1999038189) REACTEUR A PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/038189    N° de la demande internationale :    PCT/EP1999/000349
Date de publication : 29.07.1999 Date de dépôt international : 20.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.08.1999    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, D-80636 München (DE) (Tous Sauf US).
WILD, Christof [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KOIDL, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WILD, Christof; (DE).
KOIDL, Peter; (DE)
Mandataire : SCHMITT, Hans; Maucher, Börjes & Kollegen, Dreikönigstrasse 13, 79102 Freiburg (DE)
Données relatives à la priorité :
198 02 971.3 27.01.1998 DE
Titre (DE) PLASMAREAKTOR
(EN) PLASMA REACTOR
(FR) REACTEUR A PLASMA
Abrégé : front page image
(DE)Ein Plasmareaktor (1) dient insbesondere für die Diamant-CVD (chemical vapour deposition) ober beispielsweise auch zur Plasmaoberflächenbehandlung oder zum Plasmaätzen. Der Plasmareaktor (1) weist ein als Resonator ausgebildetes Reaktorgehäuse (2) auf, an das eine mit einem Hochfrequenzgenerator (6) verbundene Hochfrequenz-Koaxialleitung (5) zur Einstrahlung von Mikrowellen angeschlossen ist. Im Reaktorgehäuse befindet sich ein Substrathalter (3) für ein zu beschichtendes Substrat, wobei im Übergangsbereich von der Hochfrequenz-Koaxialleitung (5) in das Reaktorgehäuse (2) ein vakuumdichtes Fenster (12) aus mikrowellendurchlässigem Material angeordnet ist und wobei das Reaktorgehäuse Anschlüsse (10, 11) zum Zu- und Ableiten eines Prozeßgases aufweist. Bei dem erfindungsgemäßen Plasmareaktor (1) ist die Hochfrequenz-Koaxialleitung (5) an ihrem Zuleitungsende außerhalb des Reaktorgehäuses aufgeteilt und am Umfang des Reaktorgehäuses gegen das im wesentlichen ringförmige Mikrowellen-Fenster (12) gerichtet.
(EN)The invention relates to a plasma reactor (1) used especially for diamond chemical vapour deposition or, for example, for plasma surface treatment or plasma etching. The plasma reactor (1) comprises a reactor housing (2) configured as a resonator to which a high-frequency coaxial line (5) joined to a high-frequency generator (6) is connected for introducing microwaves. In the reactor housing a substrate holder (3) for a substrate to be coated is located. In the transitional area between the high-frequency coaxial line (5) and the reactor housing (2) a vacuum-tight window (12) of a material permeable to microwaves is arranged and the reactor housing has connections (10, 11) for supplying and withdrawing a process gas. In the plasma reactor (1) provided for in the invention the high-frequency coaxial line (5) is divided at its input end outside the reactor housing and directed against the essentially annular microwave window (12) on the periphery of the reactor housing.
(FR)L'invention concerne un réacteur à plasma (1) servant notamment pour le dépôt chimique en phase vapeur de diamant ou par exemple pour le traitement de surface au plasma ou pour l'attaque au plasma. Ce réacteur à plasma (1) présente un boîtier de réacteur (2) se présentant sous la forme d'un résonateur, auquel est raccordée une ligne coaxiale haute fréquence (5), raccordée à un générateur haute fréquence (6) et servant à l'introduction des micro-ondes. Un porte-substrat (3), destiné à un substrat à revêtir, se trouve dans le boîtier de réacteur. Une fenêtre (12) étanche au vide, réalisée dans un matériau perméable aux micro-ondes, est placée dans la zone de transition entre la ligne coaxiale haute fréquence (5) et le boîtier de réacteur (2). Ce dernier présente des raccordements (10, 11) pour acheminer et évacuer un gaz de processus. Dans ce réacteur à plasma (1), la ligne coaxiale haute fréquence (5) est divisée à son extrémité d'acheminement, à l'extérieur du boîtier de réacteur, et dirigée, au niveau de la périphérie du boîtier de réacteur, vers la fenêtre à micro-ondes (12) pratiquement annulaire.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)