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1. (WO1999037655) PRECURSEURS D'AMIDE DE TANTALE SERVANT A DEPOSER DU NITRURE DE TANTALE SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/037655    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/001277
Date de publication : 29.07.1999 Date de dépôt international : 21.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.08.1999    
CIB :
C07F 9/00 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive Danbury, CT 06810 (US)
Inventeurs : BAUM, Thomas, H.; (US).
BHANDARI, Gautam; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; Intellectual Property/Technology Law P.O. Box 14329 Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
09/012,679 23.01.1998 US
Titre (EN) TANTALUM AMIDE PRECURSORS FOR DEPOSITION OF TANTALUM NITRIDE ON A SUBSTRATE
(FR) PRECURSEURS D'AMIDE DE TANTALE SERVANT A DEPOSER DU NITRURE DE TANTALE SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)Tantalum and titanium source reagents are described, including tantalum amide and tantalum silicon nitride precursors for the deposition of tantalum nitride material on a substrate by processes such as chemical vapor deposition, assisted chemical vapor deposition, ion implantation, molecular beam epitaxy and rapid thermal processing. The precursors may be employed to form diffusion barrier layers on microelectronic device structures enabling the use of copper metallization and ferroelectric thin films in device construction.
(FR)Réactifs de source de tantale et de titane, y compris des précurseurs de nitrure de silicium de tantale et d'amide de tantale servant à effectuer le dépôt de nitrure de tantale sur un substrat au moyen de procédés tels que dépôt de vapeur chimique, dépôt de vapeur chimique assisté, implantation ionique, épitaxie par faisceau moléculaire et traitement thermique rapide. On peut utiliser ces précurseurs afin de créer des couches servant de barrières à la diffusion sur des structures de composants micro-électroniques, ce qui permet d'effectuer une métallisation de cuivre et de couches minces ferroélectriques pour la fabrication du composant.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)