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1. (WO1999037024) CELLULE A TEMPS DE PROPAGATION VARIABLE COMPORTANT UNE CHARGE A POLARISATION AUTOMATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/037024    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/000191
Date de publication : 22.07.1999 Date de dépôt international : 05.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.07.1999    
CIB :
H03H 11/26 (2006.01), H03K 3/0231 (2006.01), H03K 5/13 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
JOHNSON, Luke, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
FISCUS, Timothy, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JOHNSON, Luke, A.; (US).
FISCUS, Timothy, E.; (US)
Mandataire : TAYLOR, Edwin, H.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/006,649 14.01.1998 US
Titre (EN) A VARIABLE DELAY CELL WITH A SELF-BIASING LOAD
(FR) CELLULE A TEMPS DE PROPAGATION VARIABLE COMPORTANT UNE CHARGE A POLARISATION AUTOMATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A variable delay cell with a self-biasing load (40) suitable for the implementation of a voltage controlled oscillator and other functions. Because the invention employs current steering (60) between symmetric loads and fully differential voltage control (CTL), it is very fast relative to conventional methods and has reduced jitter and improved power supply noise rejection. Additionally, since the load (40) is self-biasing, the need to externally generate a bias current for the load is eliminated. This significantly simplifies design. Also as the load readily self biases in response to changes in the bias current of the biasing transistor (55), desirable functionalities can be achieved merely by appropriately changing the bias current into the biasing transistor. Notably, the slew rate of both the rising and falling edge can be controlled in this way. Because the load provides a fully differential output, noise immunity as well as a 50 % duty cycle is readily achieved.
(FR)L'invention concerne une cellule à temps de propagation variable (40) comportant une charge à polarisation automatique, qui convient pour la mise en oeuvre d'un oscillateur à tension commandée et d'autres fonctions. Etant donné que le procédé de l'invention emploie une commande de courant (60) entre des charges symétriques et une commande de tension différentielle maximale (CTL), il est très rapide par rapport à des procédés classiques et présente une gigue réduite et un rejet accru du bruit dû à l'alimentation électrique. De plus, comme la charge (40) se polarise automatiquement, il n'est plus nécessaire de produire de façon externe un courant de polarisation pour la charge. Ce qui simplifie considérablement la conception de la cellule. En outre, comme la charge se polarise facilement de manière automatique en réponse à des changements de courant de polarisation du transistor de polarisation (55), on peut obtenir des fonctions voulues en modifiant simplement de façon appropriée le courant de polarisation entrant dans le transistor de polarisation. En particulier, la vitesse de balayage des flancs avant et arrière peut être commandée de cette manière. Comme la charge fournit une sortie différentielle maximale, on obtient aisément une insensibilité au bruit ainsi qu'un rapport de cycle de 50 %.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)