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1. (WO1999036949) PROCEDE D'EXPOSITION ET SYSTEME DE LITHOGRAPHIE, APPAREIL D'EXPOSITION ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/036949    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/000122
Date de publication : 22.07.1999 Date de dépôt international : 18.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.08.1999    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
TANIGUCHI, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANIGUCHI, Tetsuo; (JP)
Mandataire : TATEISHI, Atsuji; Paseo Building 5th floor 4-20, Haramachida 5-chome Machida-shi Tokyo 194-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/20479 16.01.1998 JP
Titre (EN) EXPOSURE METHOD AND LITHOGRAPHY SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING THE APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING DEVICE
(FR) PROCEDE D'EXPOSITION ET SYSTEME DE LITHOGRAPHIE, APPAREIL D'EXPOSITION ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Based on the information about the capability of a first exposure device (20A or 20B) of correcting the distortion of the image of a first mask transferred onto a wafer (W), the image forming characteristics of a second exposure apparatus (20B or 20A) are adjusted. Therefore, image forming characteristics can be appropriately adjusted (decreasing the correction residual error), considering the distortion of the pattern image of the first mask transferred onto the wafer by the first exposure apparatus. That is, in order to properly transfer the pattern of a second mask onto the wafer by using the second exposure apparatus, the image forming characteristics of the second exposure apparatus are so adjusted that the distortion of the image of the pattern of the second mask is almost the same of that of the first mask. Hence, good image registration is realized.
(FR)Selon les information relatives à la capacité d'un premier dispositif d'exposition (20A ou 20B) à corriger la distorsion de l'image d'un premier masque, transférée sur une plaquette (W), les caractéristiques de formation d'image d'un deuxième appareil d'exposition (20B ou 20A) sont ajustées. Ainsi, les caractéristiques de formation d'image peuvent être ajustées de manière appropriée (par réduction de l'erreur de correction résiduelle), en fonction de la distorsion de l'image du motif du premier masque, transférée sur la plaquette par le premier appareil d'exposition. Plus précisément, afin de permettre le transfert approprié du motif d'un deuxième masque sur la plaquette au moyen du deuxième appareil d'exposition, les caractéristiques de formation d'image dudit appareil sont ajustées de sorte que la distorsion de l'image du motif du deuxième masque soit pratiquement identique à celle du premier masque. Ainsi, une bonne superposition d'images est assurée.
États désignés : AL, AU, BA, BB, BG, BR, CA, CN, CU, CZ, EE, GD, GE, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KR, LC, LK, LR, LT, LV, MG, MK, MN, MX, NO, NZ, PL, RO, SG, SI, SK, SL, TR, TT, UA, US, UZ, VN, YU.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)