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1. (WO1999035678) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT POUR DISPOSITIF OPTRONIQUE, DISPOSITIF OPTRONIQUE, DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET ECRAN DE PROJECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/035678    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/000004
Date de publication : 15.07.1999 Date de dépôt international : 04.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.06.1999    
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163-0811 (JP) (Tous Sauf US).
KAWATA, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWATA, Hirotaka; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Kisaburo; Intellectual Property Dept. Seiko Epson Corporation 3-5, Owa 3-chome Suwa-shi Nagano-ken 392-8502 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/1175 06.01.1998 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE FOR ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND PROJECTION DISPLAY
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT POUR DISPOSITIF OPTRONIQUE, DISPOSITIF OPTRONIQUE, DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET ECRAN DE PROJECTION
Abrégé : front page image
(EN)It is generally necessary to stabilize the potential of the channel region of a MOSFET on a substrate to ensure the drain breakdown voltage. Therefore, conventionally an additional potential line needs to be provided, causing a problem that the numerical aperture of a transmission liquid crystal device of which the brightness is particularly important decreases. According to the present invention, a light-shielding layer for covering a MOSFET fabricated on a substrate is electrically connected to the channel region of the MOSFET.
(FR)En règle générale, on doit stabiliser le potentiel de la région du canal d'un transistor MOS à effet de champ sur un substrat pour assurer une tension d'amorçage de drain. Pour cette raison, on doit normalement installer une ligne de potentiel supplémentaire, ce qui cause le problème de diminution de l'ouverture numérique d'un dispositif de transmission à cristaux liquides pour lequel la luminosité est particulièrement importante. Selon cette invention, une couche de protection contre la lumière, qui est destinée à couvrir un transistor MOS à effet de champ fabriqué sur un substrat, est électriquement connectée à la région du canal dudit transistor MOS à effet de champ.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)