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1. (WO1999035662) DISPOSITIF A MICRO-ONDES ET DE TYPE M
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/035662    N° de la demande internationale :    PCT/RU1999/000001
Date de publication : 15.07.1999 Date de dépôt international : 05.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.07.1999    
CIB :
H01J 23/05 (2006.01), H01J 25/50 (2006.01)
Déposants : LITTON SYSTEMS, INC. [US/US]; 2120 Burbank Boulevard Woodland Hills, CA 91367 (US) (Tous Sauf US).
MAKHOV, Vladimir Iliich [RU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAKHOV, Vladimir Iliich; (US)
Mandataire : OOO TSENTR INNOTEC; B. Semenovskaya, 49-404 Moscow, 105023 (RU)
Données relatives à la priorité :
98100560 08.01.1998 RU
Titre (EN) M-TYPE MICROWAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF A MICRO-ONDES ET DE TYPE M
Abrégé : front page image
(EN)The present invention pertains to the field of M-type microwave devices, wherein the purpose of said invention is to provide a more efficient use of the working surface in field emitters, to increase the reliability thereof, to improve the field emission stability and to extend the operation duration of the device. To this end, the structure of an M-type micro-wave device comprises an anode as well as a cathodic node arranged coaxially inside the anode, wherein said cathodic node is made in the shape of a cylindrical rod that comprises on its surface a plurality of elements consisting in flat (film-type) field emitters and secondary emitters for generating a first and a secondary emission. The normal to the flat field emitters is not parallel to the cathode axis and defines with said axis an angle wider than zero degrees. The end of a field emitter is protected with thin tunnel-effect layer of a dielectric comprising impurities that consist in various materials, including impurities which consist in analogous materials or in materials with a reduced work function.
(FR)Cette invention, qui se rapporte au domaine des dispositifs à micro-ondes et de type M, a pour but d'accroître l'efficacité d'utilisation de la surface de travail d'émetteurs par champ, d'accroître la fiabilité de ces derniers, d'améliorer la stabilité d'une émission par champ et d'allonger la durée de fonctionnement du dispositif. A cette fin, on utilise une structure de dispositif à micro-ondes et de type M qui comprend une anode ainsi qu'un noyau cathodique disposé coaxialement à l'intérieur de l'anode. Le noyau cathodique se compose d'une tige cylindrique à la surface de laquelle sont disposés des éléments consistant en des émetteurs par champ et en des émetteurs secondaires plats (de type film), lesquels émetteurs assurent une émission primaire et une émission secondaire. La perpendiculaire aux émetteurs par champ plats n'est pas parallèle à l'axe de la cathode et forme par rapport à celui-ci un angle supérieur à zéro degré. L'extrémité d'un émetteur par champ est protégée par une couche fine et à effet tunnel d'un diélectrique comprenant des dopants qui consistent en des matériaux divers, y compris des dopants qui consistent en des matériaux analogues ou en des matériaux ayant un fonctionnement réduit.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)