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1. (WO1999034446) CONNEXION POUR LE RACCORDEMENT DE CORPS DANS UN TRANSISTOR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034446    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/026905
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 18.12.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.07.1999    
CIB :
H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : UTMC MICROELECTRONIC SYSTEMS INC. [US/US]; 4350 Centennial Boulevard Colorado Springs, CO 80907 (US)
Inventeurs : TYSON, Scott, M.; (US).
WOODRUFF, Richard, L.; (US)
Mandataire : SKLAR, Brandon; Morgan and Finnegan, L.L.P. 345 Park Avenue New York, New York 10154 (US)
Données relatives à la priorité :
08/999,491 29.12.1997 US
Titre (EN) SOI COMBINATION BODY TIE
(FR) CONNEXION POUR LE RACCORDEMENT DE CORPS DANS UN TRANSISTOR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)
Abrégé : front page image
(EN)An H-transistor (100), fabricated in a silicon-on-insulator ('SOI') substrate, includes opposing source and drain terminals or regions (104) flanking a centrally-located body node or well. Above the body node or well is formed the H-shaped gate terminal (112) of the transistor (100). One or more shunt body (108) contacts or ties bisect the source terminal (104) and connect the source terminal (104) of the transistor (100) to the underlying body node. In this way, the body node or well is no longer electrically 'floating', but, instead, is connected to the fixed ground potential of the source terminal of the transistor (100).
(FR)L'invention concerne un transistor de type H (100) réalisé dans un substrat silicium sur isolant (SOI), qui comprend des bornes ou zones opposées de drain et de source (104) placées de part et d'autre d'un noeud de corps ou puits central, au-dessus duquel est constituée la borne de grille en H (112) du transistor (100). Un ou plusieurs contacts ou raccords en dérivation du corps (108) coupent en deux parties égales la borne de la source (104), reliant cette borne (104) du transistor (100) au noeud de corps sous-jacent. On supprime ainsi le 'flottement' électrique du noeud de corps ou puits, qui est désormais couplé au potentiel de terre fixe de la borne de la source du transistor (100).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)