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1. (WO1999034430) FILM FLUOROCARBONE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034430    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/005641
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 14.12.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.06.1999    
CIB :
B05D 7/24 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
IWABUCHI, Yoko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IWABUCHI, Yoko; (JP)
Mandataire : SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office Fuji Bluiding, Room 323 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/369495 27.12.1997 JP
Titre (EN) FLUOROCARBON FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) FILM FLUOROCARBONE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming fluorocarbon films while obviating the problem accompany the use of a fluorocarbon film as an interlaminar insulating film for semiconductor devices such that there are some cases where the leakage current is too high to achieve desired characteristics and therefore the leakage current must be lowered. The method comprises using a plasma-forming gas comprising an Ar gas and a film-forming gas comprising a fluorocarbon gas such as a C¿4?F¿8? gas, a hydrocarbon gas such as a C¿2?H¿4? gas, and a boron-containing gas such as a BF¿3? gas, converting the film-forming gases into plasma, and using the resultant active species to deposit a fluorocarbon film on a semiconductor wafer (10). The added boron-containing gas causes the addition of boron to the free bonds of unreacted carbon or fluorine atoms present in the fluorocarbon film so as to reduce the number of the free bonds, thus interfering with the formation of current passage and lowering the leakage current.
(FR)L'invention concerne un procédé qui permet de fabriquer des films fluorocarbonés, sans rencontrer les difficultés liées à l'utilisation d'un film de ce type comme film isolant dans un assemblage de laminés, pour les dispositifs à semiconducteur, conduisant parfois à des courants de fuite trop élevés qui empêchent d'obtenir les caractéristiques désirées et qui nécessitent donc une baisse du courant de fuite. Le procédé consiste à utiliser un gaz plasmagène comprenant un gaz Ar, et un gaz filmogène comprenant un gaz fluorocarboné du type gaz C¿4?F¿8?, un gaz d'hydrocarbures du type gaz C¿2?H¿4?, et un gaz à base de bore du type gaz BF¿3?; à convertir les gaz filmogènes en plasma; et à utiliser l'espèce chimique active résultante pour déposer un film fluorocarboné sur une plaquette en semiconducteur (10). Le gaz d'adjonction à base de bore permet d'ajouter du bore aux liaisons libres des atomes de carbone ou de bore non touchés par la réaction et présents dans le film fluorocarboné, de manière à réduire le nombre liaisons libres, ce qui permet d'interférer avec la formation de passage de courant et d'abaisser le courant de fuite.
États désignés : IL, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)