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1. (WO1999034426) CONTACTS AUTO-ALIGNES POUR DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034426    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/026503
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 11.12.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.07.1999    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventeurs : FLANNER, Janet, M.; (US).
MARQUEZ, Linda, N.; (US).
COOK, Joel, M.; (US).
MOREY, Ian, J.; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph, A.; Beyer & Weaver, LLP P.O. Box 61059 Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
08/998,954 29.12.1997 US
Titre (EN) SELF-ALIGNED CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CONTACTS AUTO-ALIGNES POUR DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In a plasma processing chamber, a method for etching through a selected portion of an oxide layer of a wafer's layer stack to create a self-aligned contact opening is described. The wafer stack includes a substrate (22), a polysilicon layer (30) disposed above the substrate (22), a nitride layer (34) disposed above said polysilicon layer (30) and the oxide layer (40) disposed above the nitride layer (34). The method for etching includes etching through the oxide layer of the layer stack with a chemistry and a set of process parameters. The chemistry essentially includes C¿2?HF¿5? and CH¿2?F¿2? and the set of process parameters facilitate etching through the oxide layer without creating a spiked etch and etching the oxide layer through to the substrate without substantially damaging the nitride layer.
(FR)L'invention concerne une technique de gravure, dans une chambre de traitement au plasma, d'une partie sélectionnée d'une couche d'oxyde qui fait partie d'une pile de couches constituant une plaquette, de façon à créer une ouverture de contact auto-aligné. La pile de la tranche comprend un substrat (22), une couche de polysilicium (30) disposée au-dessus du substrat (22), une couche de nitrure (34) disposée au-dessus de ladite couche de polysilicium (30) et ladite couche d'oxyde (40) disposée au-dessus de ladite couche de nitrure (34). La technique de gravure consiste à graver au moyen de solutions chimiques et d'une série de paramètres de traitement ladite couche d'oxyde qui fait partie d'une tranche de couches. Les solutions chimiques sont principalement constituées de C¿2?HF¿5? et de CH¿2?F¿2? et la série de paramètres de traitement facilite la gravure de la couche d'oxyde sans créer une attaque ponctuelle et sans traverser la couche d'oxyde jusqu'au substrat, sans endommager sensiblement la couche de nitrure.
États désignés : IL, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)