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1. (WO1999034383) RELAIS A SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034383    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/025931
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 07.12.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.06.1999    
CIB :
H01H 1/66 (2006.01), H01H 9/42 (2006.01), H01H 59/00 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL, INC. [US/US]; Honeywell Plaza-MN12-8251 P.O. Box 524 Minneapolis, MN 55440-0524 (US)
Inventeurs : YOUNGNER, Daniel, W.; (US).
JOHNSON, Burgess, R.; (US)
Mandataire : NORRIS, Roland, W.; Honeywell Inc. Honeywell Plaza - MN12-8251 P.O. Box 524 Minneapolis, MN 55440-0524 (US).
FREDRICK, Kris, T.; Honeywell Inc. Honeywell Plaza - MN12-8251 P.O. Box 524 Minneapolis, MN 55440-0524 (US)
Données relatives à la priorité :
08/999,420 29.12.1997 US
Titre (EN) MICRO ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS RELAY
(FR) RELAIS A SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A relay device built using MEMS technology and having a semiconductor wafer base with a surface depression having a first electrically conductive surface pattern. A lower diaphragm is moveably positioned above the depression for contact and has a second electrically conductive surface pattern thereon. An upper diaphragm is positioned above the lower diaphragm, with a central electrode mounted between them to selectively attract and move a diaphragm upon application of voltage. A post connects the upper and lower diaphragms to move a diaphragm when the other is moved electrostatically. The diaphragms define a sealed region enclosing the central electrode. The surface patterns may be tapered at their perimeters to provide a contact contour allowing gradually increasing contact as the diaphragm moves toward the surface. The preferred wafer is a silicon wafer, and the diaphragms are polysilicon. The patterns are formed from highly conductive material like gold, while the outer regions are high resistive, chemically stable material like CrSiN. The sealed region is evacuated to have a vacuum, or may be filled with an inert gas. In a preferred embodiment, the sealed region is filled with a fluid having a measurable viscosity, and region is adapted to move the fluid upon electrostatic movement of the diaphragm, such that the viscosity of the fluid is selected to adjust the rate of movement of the diaphragm.
(FR)L'invention concerne un dispositif de relais utilisant la technique MEMS et présentant une base constituée par une plaquette de semi-conducteur, présentant un creux en surface recevant un premier modèle électriquement conducteur. Un diaphragme inférieur est positionné mobile au-dessus du creux pour le contact et présente un deuxième modèle superficiel électriquement conducteur. Un diaphragme supérieur est positionné au-dessus du diaphragme inférieur, une électrode centrale étant disposée entre eux, en vue d'attirer et de déplacer sélectivement un diaphragme lorsqu'une tension est appliquée. Une borne connecte les diaphragmes supérieur et inférieur en vue de déplacer un diaphragme lorsque l'autre est déplacé électrostatiquement. Les diaphragmes définissent une zone scellée entourant l'électrode centrale. Les modèles en surface peuvent être effilés en vue d'obtenir un profil de contact permettant un contact augmentant progressivement lorsque le diaphragme se déplace vers la surface. La plaquette est réalisée de préférence en silicium et les diaphragmes sont en polysilicone. Les modèles sont formés à partir de matériaux hautement conducteurs tels que l'or, tandis que les zones externes sont en un matériau chimiquement stable, hautement résistant, tel que CrSiN. Un vide est réalisé dans la zone scellée, ou bien celle-ci est remplie d'un gaz inerte. Dans une forme d'exécution préférée, la zone scellée est remplie d'un fluide ayant une viscosité mesurable, et la zone est adaptée pour déplacer le fluide lorsque le diaphragme est mû électrostatiquement, la viscosité du fluide étant choisie de manière à ajuster la vitesse de déplacement du diaphragme.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)