WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1999034178) DETECTEUR COMPORTANT UNE RESISTANCE DE MESURE VARIABLE AVEC LA TEMPERATURE ET SON UTILISATION POUR MESURER LA TEMPERATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034178    N° de la demande internationale :    PCT/EP1998/008278
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 17.12.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.06.1999    
CIB :
G01K 7/18 (2006.01)
Déposants : HERAEUS ELECTRO-NITE INTERNATIONAL N.V. [BE/BE]; Centrum Zuid 1105, B-3530 Houthalen (BE)
Inventeurs : WIENAND, Karlheinz; (DE).
MÜLLER, Andreas; (DE)
Mandataire : KÜHN, Hans-Christian; Heraeus Holding GmbH, Schutzrechte, Heraeusstrasse 12-14, D-63450 Hanau (DE)
Données relatives à la priorité :
197 57 258.8 23.12.1997 DE
Titre (DE) SENSOR MIT TEMPERATURABHÄNGIGEM MESSWIDERSTAND UND DESSEN VERWENDUNG ZUR TEMPERATURMESSUNG
(EN) SENSOR WITH A TEMPERATURE DEPENDENT MULTIPLIER RESISTOR AND THE UTILIZATION THEREOF FOR MEASURING TEMPERATURES
(FR) DETECTEUR COMPORTANT UNE RESISTANCE DE MESURE VARIABLE AVEC LA TEMPERATURE ET SON UTILISATION POUR MESURER LA TEMPERATURE
Abrégé : front page image
(DE)Ein temperaturabhängiger Meßwiderstand eines Temperatur-Sensors ist mit einem Referenzwiderstand in Reihe geschaltet, wobei diese Reihenschaltung von einem konstanten, eingeprägten Strom durchflossen wird; ein zwischen beiden Widerständen befindlicher Verbindungspunkt ist mit dem N-Eingang eines ersten gegengekoppelten Operationsverstärkers verbunden, dessen P-Eingang mit einer von einem Spannungsteiler abgegriffenen Gleichspannung versorgt wird; bei einer Temperaturerhöhung im Bereich des Meßwiderstandes erhöht sich das Potential am Ausgang des mit dem Meßwiderstand verbundenen ersten Operationsverstärkers, welcher den eingeprägten konstanten Strom liefert, während sich das Potential am Ausgang des Operationsverstärkers bei fallender Temperatur absenkt; das am Operationsverstärker abgegebene temperaturabhängige Spannungssignal wird dem P-Eingang eines nachgeschalteten zweiten Operationsverstärkers in Subtrahierschaltung zugeführt, dessen Ausgang mit einer Meßeinrichtung zur Messung der für die Temperatur charakteristischen Spannung verbunden ist. In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Meßwiderstand aus Platin oder Pt-Basis-Legierung direkt auf ein Substrat aus Keramik (Al2O3) aufgebracht, welches ein Dünnschichtelement bildet, auf die Oberfläche des Dünnschichtelements werden zusätzlich der Referenzwiderstand und der Mikromodul aufgebracht. Der Temperatur-Sensor weist aufgrund einer als Mikro-Modul ausgebildeten Auswerteschaltung eine kompakte Bauform auf und ist bis zu einer Temperatur von ca. 300 °C einsetzbar.
(EN)The invention relates to a temperature dependent multiplier resistor of a temperature sensor which is connected in series to a reference resistor, whereby a constant applied current passes through said series connection. A connection endpoint located between both resistors is connected to the N-input of a first countercoupled operational amplifier whose P-input is supplied with a direct voltage tapped by a voltage divider. When the temperature increases in the area of the multiplier resistor, the potential increases on the output of the first operational amplifier which is connected to the multiplier resistor. The operational amplifier supplies the applied constant current while the potential on the output of the operational amplifier decreases as the temperature falls. The temperature dependent voltage signal released on the operational amplifier is delivered to the P-input of a series connected second operational amplifier in a subtractor connection. The output of the second operational amplifier is connected to a measuring device for measuring the voltage which is characteristic of the temperature. In a preferred design, the multiplier resistor made of platinum or a platinum based alloy is directly deposited on a substrate made of ceramic (Al2O3) thus forming a thin-layer element. The reference resistor and the micromodule are additionally placed on the surface of the thin-layer element. The temperature sensor has a compact structure due to an evaluation circuit which is configured as a micromodule, and can be used up to temperatures of approximately 300 °C.
(FR)L'invention concerne une résistance pour thermosonde, variable avec la température, qui est montée en série avec une résistance de référence. Cette installation en série est parcourue par un courant constant appliqué. Un point de connexion situé entre les deux résistances est relié à l'entrée N d'un premier amplificateur d'opération contre-couplé, dont l'entrée P est alimentée en tension continue prélevée par un diviseur de tension. Lorsque la température augmente dans la zone de la résistance de mesure, le potentiel en sortie du premier amplificateur d'opération relié à la résistance de mesure, qui fournit le courant constant appliqué, augmente, alors que le potentiel en sortie de l'amplificateur diminue lorsque la température baisse. Le signal de tension variable avec la température fourni au niveau de l'amplificateur d'opération est acheminé jusqu'à l'entrée P d'un second amplificateur d'opération monté en aval, en montage de soustraction, dont la sortie est connectée à un dispositif de mesure servant à mesurer la tension de la tension caractéristique de la température. Dans un mode préféré de réalisation, la résistance de mesure est en platine ou dans un alliage à base de platine et est appliquée directement sur un substrat en céramique (Al2O3), qui forme un élément à couche mince, sur la surface duquel sont en outre apposés la résistance de référence et le micromodule. La thermosonde présente une structure compacte en raison d'un circuit d'évaluation sous forme micromodulaire et peu s'utiliser jusqu'à des températures d'approximativement 300 °C.
États désignés : BR, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)