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1. (WO1999034037) PROCEDE DE PREPARATION DE MONOCRISTAUX DE COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS, EQUIPEMENT POUR CE PROCEDE ET MONOCRISTAUX DE COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034037    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/004924
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 30.10.1998
CIB :
C30B 11/00 (2006.01)
Déposants : JAPAN ENERGY CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome Minato-ku Tokyo 105-0001 (JP) (Tous Sauf US).
ODA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SEKI, Youji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ODA, Osamu; (JP).
SEKI, Youji; (JP).
INOUE, Takayuki; (JP)
Mandataire : ARAFUNE, Hiroshi; Nikko Kagurazaka Building, 5th floor 18, Iwato-cho Shinjuku-ku Tokyo 162-0832 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/358163 25.12.1997 JP
9/358178 25.12.1997 JP
10/2124 08.01.1998 JP
10/2125 08.01.1998 JP
10/194216 09.07.1998 JP
Titre (EN) PROCESS FOR THE PREPARATION OF SINGLE CRYSTALS OF COMPOUND SEMICONDUCTORS, EQUIPMENT THEREFOR, AND SINGLE CRYSTALS OF COMPOUND SEMICONDUCTORS
(FR) PROCEDE DE PREPARATION DE MONOCRISTAUX DE COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS, EQUIPEMENT POUR CE PROCEDE ET MONOCRISTAUX DE COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A process for the preparation of single crystals of compound semiconductors MmXn (wherein M is a group 12 (2B) element or a group 13 (3B) element; X is a group 15 (5B) element or a group 16 (6B) element; and m and n are each an integer of 1 or above), which comprises the step (1) of introducing a vessel for crystal growth in which an element M is held and a gas containing an element X into a treatment chamber, the step (2) of melting the element M held in the vessel by heating, the step (3) of pressurizing the gas containing the element X to dissolve the gas in the melt of the element M, and the step (4) of growing a single crystal of a compound MmXn under the conditions of temperature and pressure regulated so as to fall within the region of the P-T phase diagram of the compound MmXn wherein the compound MmXn is stably present as solid by further pressuring the gas containing the element X with the melt of the element M containing the gas in a state dissolved therein being kept at a constant temperature.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation de monocristaux de composés semi-conducteurs MmXn (M est un élément du groupe 12 (2B) ou un élément du groupe 13 (3B); X est un élément du groupe 15 (5B) ou un élément du groupe 16 (6B); et m et n sont chacun un nombre entier égal ou supérieur à 1). Ce procédé comprend les étapes suivantes: (1) on introduit un récipient à croissance cristalline contenant un élément M et un gaz contenant un élément X dans une chambre de traitement, (2) on fait fondre l'élément M contenu dans le récipient en le chauffant, (3) on met sous pression le gaz contenant l'élément X afin de dissoudre le gaz dans l'élément M en fusion, puis (4) on fabrique un monocristal du composé MmXn dans des condition de température et de pression réglées de manière qu'elles tombent dans la région du diagramme de phase P-T du composé MmXn. Le composé MmXn est présent de manière stable sous forme de solide grâce à une pressurisation additionnelle du gaz contenant l'élément X, l'élément M en fusion contenant le gaz dissous étant maintenu à une température constante.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)