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1. (WO1999034030) NOUVELLE APPROCHE POUR L'OPTIMISATION D'UN PROCEDE DE PULVERISATION D'ILD A L'ARGON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034030    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/025468
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 01.12.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.07.1999    
CIB :
H01J 37/34 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATTION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
HUFF, Brett, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHATZ, Ken [US/US]; (US) (US Seulement).
MAXIM, Mike [US/US]; (US) (US Seulement).
PETRO, William, G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HUFF, Brett, E.; (US).
SCHATZ, Ken; (US).
MAXIM, Mike; (US).
PETRO, William, G.; (US)
Mandataire : TAYLOR, Edwin, H.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/001,350 31.12.1997 US
Titre (EN) A NOVEL APPROACH TO OPTIMIZING AN ILD ARGON SPUTTER PROCESS
(FR) NOUVELLE APPROCHE POUR L'OPTIMISATION D'UN PROCEDE DE PULVERISATION D'ILD A L'ARGON
Abrégé : front page image
(EN)A sputter etch system and a method of conducting a sputter etch is disclosed. The sputter etch includes an etch chamber with a wafer pedestal having a top surface to support a wafer and a magnet configured to provide a continuous magnetic field directed at the top surface of the wafer pedestal. The system comprises an etch system (100), an etch chamber (105), a base (110), a wafer pedestal (115), a wafer (120), a stationary magnet (125), a gas distribution plate (127), and a magnetic field (130).
(FR)L'invention concerne une installation de décapage par pulvérisation et un procédé permettant de réaliser un décapage par pulvérisation. L'installation de décapage par pulvérisation comprend une chambre de décapage équipée d'un socle de plaquette présentant une surface supérieure destinée à supporter une plaquette, ainsi qu'un aimant configuré de manière à produire un champ magnétique continu dirigé sur la surface supérieure du socle de plaquette. L'installation se compose d'un système (100) de décapage, d'une chambre (105) de décapage, d'une base (110), d'un socle (115) de plaquette, d'une plaquette (120), d'un aimant (125) fixe, d'une plaque (127) de distribution de gaz et d'un champ magnétique (130).
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)