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1. (WO1999033725) MANDRIN DE PREHENSION DE PLAQUETTES SANS CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/033725    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/027111
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 18.12.1998
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : KRYTEK CORPORATION [US/US]; 30A Cherry Hill Drive Danvers, MA 01923 (US).
KURAITEKKU CORPORATION [JP/JP]; Sumitomo Heavy Industries, Inc. Technical Center nai 2-4-15, Yato-cho Tanash-si Tokyo 188 (JP)
Inventeurs : ROSE, Peter, H.; (US).
TOKUNAGA, Haruo; (JP)
Mandataire : CONNORS, Matthew, E.; Samuels, Gauthier & Stevens, LLP Suite 3300 225 Franklin Street Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
09/000,699 30.12.1997 US
Titre (EN) CONTACTLESS WAFER PICK-UP CHUCK
(FR) MANDRIN DE PREHENSION DE PLAQUETTES SANS CONTACT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor wafer pick-up chuck (300) including a support structure and a plurality of air bearings, each having a bearing surface associated with the support structure which supports a wafer (101) without contacting the bearing surface. The air bearings may be vacuum stabilized to hold the wafer (101) in position. Alternatively, mechanical devices can be used to clamp the wafer between upper and lower air bearings. The air bearings include at least one first port (203, 204) for providing a high pressure gas between the bearing surface and the wafer (101) and at least one second port (312, 314) for providing vacuum suction between the bearing surface and the wafer (101).
(FR)La présente invention concerne un mandrin (300) de préhension de plaquette de semiconducteur (101) comprenant une structure d'appui et plusieurs paliers d'air, comportant chacun une surface de palier associée à la structure d'appui qui porte une plaquette de semiconducteur (101) sans toucher le palier. Les palier d'air peuvent être stabilisés sous vide de manière à maintenir la plaquette en place. Dans une variante, on peut utiliser des dispositifs mécaniques pour pincer la plaquette entre les paliers d'air supérieur et inférieur. Ces palier d'air comprennent au moins un premier orifice (203, 204) permettant de fournir un gaz haute pression entre la surface du palier et la plaquette (101), et au moins un second orifice (312, 314) permettant de créer une dépression entre la surface du palier et la plaquette du semiconducteur (101).
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)