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1. (WO1999033057) TECHNIQUE D'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE DE LA MEMOIRE D'UN CIRCUIT INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/033057    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/024146
Date de publication : 01.07.1999 Date de dépôt international : 23.12.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.07.1999    
CIB :
G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. [--/--]; No. 3, Creation Road 3rd, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 300 (TW) (Tous Sauf US).
LIOU, Kong-Mou [US/US]; (US) (US Seulement).
HU, Ting-Chung [US/US]; (US) (US Seulement).
WAN, Ray-Lin [US/US]; (US) (US Seulement).
SHONE, Fuchia [--/--]; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : LIOU, Kong-Mou; (US).
HU, Ting-Chung; (US).
WAN, Ray-Lin; (US).
SHONE, Fuchia; (TW)
Mandataire : HAYNES, Mark, A.; Haynes & Beffel, P.O. Box 366, Half Moon Bay, CA 94019 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TECHNIQUE FOR INCREASING ENDURANCE OF INTEGRATED CIRCUIT MEMORY
(FR) TECHNIQUE D'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE DE LA MEMOIRE D'UN CIRCUIT INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)A method increases endurance of an array of memory cells which have an endurance specified according to the number of change cycles that the memory cell can endure within a performance tolerance. The method is based on arranging the array into a plurality of sectors (30), and assigning a subset of addresses for storage of data structure expected to change a number of times that is sufficient to exceed the specified endurance of the memory cell in the array (10). A record (29) is maintained indicating one of the plurality of sectors (30) as a current sector, directing accesses using the subset of addresses to the current sector, counting changes excuted to memory cells identified by the subset of addresses for the current sector, and changing the current sector to another one of the plurality of sectors when the count of changes exceeds the threshold.
(FR)L'invention concerne un procédé d'augmentation de la durée de vie d'un ensemble de cellules de mémoire qui présentent une durée de vie définie selon le nombre de cycles de changement que la cellule de mémoire peut endurer dans une tolérance de performance. Le procédé consiste à placer l'ensemble dans une pluralité de secteurs (30) et à affecter un sous-ensemble d'adresses de stockage de structure de données supposé changer un certain nombre de fois qui est suffisant pour dépasser la durée de vie définie de la cellule de mémoire dans l'ensemble (10). On conserve un enregistrement (29) en considérant un des secteurs (30) comme un secteur de courant, en dirigeant les accès au moyen d'un sous-ensemble d'adresses vers le secteur de courant, en comptant les modifications apportées aux cellules de mémoire identifiées par le sous-ensemble d'adresses pour le secteur de courant et en modifiant le secteur de courant par un autre des secteurs lorsque le comptage de modifications dépasse le seuil.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)