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1. (WO1999032910) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DES ENTREES/SORTIES OPTIQUES PAR L'ARRIERE D'UNE MATRICE DE CIRCUIT INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/032910    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/008548
Date de publication : 01.07.1999 Date de dépôt international : 27.04.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.07.1999    
CIB :
G02B 6/43 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054 (US) (AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CU, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GE, GH, GM, GN, GR, GW, HU, ID, IE, IL, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW only).
PANICCIA, Mario, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
RAO, Valluri, R., M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PANICCIA, Mario, J.; (US).
RAO, Valluri, R., M.; (US)
Mandataire : TAYLOR, Edwin, H.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
08/995,277 19.12.1997 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS PROVIDING OPTICAL INPUT/OUTPUT THROUGH THE BACK SIDE OF AN INTEGRATED CIRCUIT DIE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DES ENTREES/SORTIES OPTIQUES PAR L'ARRIERE D'UNE MATRICE DE CIRCUIT INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)A method and an apparatus providing optical input/output in an integrated circuit. In one embodiment, optical modulators and demodulators, which are coupled to integrated circuit input/output nodes (109, 107), are disposed on or within the back side semiconductor substrate (153) of a flip chip packaged integrated circuit. Since a flip chip packaged integrated circuit die (101) is utilized, full access to the optical modulators and demodulators is provided from the back side of the integrated circuit die for optical input/output. In one embodiment, a heat sink including a light source and an optical assembly is thermally and optically coupled to the back side of the integrated circuit die (101). A light beam is directed to the optical modulators (115) and the deflected modulated light beam is routed and directed to the optical demodulators (117, 119) to realize optical input/output. In one embodiment, infrared light may be utilized such that optical modulators and demodulators are disposed within a silicon semiconductor substrate (153). Since silicon is partially transparent to infrared light, optical input/output is realized through the back side and through the semiconductor substrate of the flip chip packaged integrated circuit die (101).
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil permettant des entrées / sorties optiques dans un circuit intégré. Dans un mode de réalisation, des modulateurs et des démodulateurs optiques, couplés à des noeuds d'entrée / de sortie (109, 107) d'un circuit intégré, sont disposés à la surface ou à l'intérieur de la partie arrière d'un substrat semi-conducteur (153) d'un circuit intégré encapsulé dans une puce à protubérances. Comme on utilise une matrice (101) d'un circuit intégré encapsulé dans une puce à protubérances, on peut aisément accéder aux modulateurs et aux démodulateurs optiques par la partie arrière de la matrice de circuit intégré afin d'effectuer des entrées / sorties optiques. Dans un autre mode de réalisation, on effectue le couplage optique et thermique d'un puits de chaleur comprenant une source lumineuse et un assemblage optique à la partie arrière de la matrice de circuit intégré (101). On dirige sur les modulateurs optiques (115) un faisceau de lumière. Le faisceau de lumière modulé défléchi est dirigé vers les démodulateurs optiques (117, 119) afin d'effectuer des entrées / sorties optiques. Dans un mode de réalisation différent, on peut utiliser la lumière infrarouge de manière à ce que les modulateurs et les démodulateurs optiques soient placés à l'intérieur d'un substrat semi-conducteur en silicium (153). Comme le silicium est en partie transparent à la lumière infrarouge, on effectue des entrées / sorties optiques à travers la partie arrière et le substrat semi-conducteur sur la matrice (101) d'un circuit intégré encapsulé dans une puce à protubérances.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)