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1. (WO1999032890) DISPOSITIF MICROMECANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/032890    N° de la demande internationale :    PCT/DE1998/003695
Date de publication : 01.07.1999 Date de dépôt international : 16.12.1998
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01), H01L 21/764 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
MÜLLER, Karlheinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MÜLLER, Karlheinz; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
197 56 826.2 19.12.1997 DE
Titre (DE) MIKROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) MICROMECHANICAL DEVICE AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF MICROMECANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung schafft eine mikromechanische Vorrichtung, insbesondere mikromechanischer Cantilever-Sensor, mit einem Halbleitersubstrat (10) mit einer Grunddotierung mit mindestens einem darin eingebrachten, von der Grunddotierung verschiedenen Dotierungsbereich (20, 22; 25; 28); mindestens einer über dem Dotierungsbereich (20, 22; 25; 28) des Substrats (10) liegenden Epitaxieschicht (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b); und einem unter einer (30b; 33a; 37a) der Epitaxieschichten (30a, 30b; 33a; 33b; 36a, 36b, 37a, 37b) befindlichen Hohlraum (50); wobei der über dem Hohlraum (50) liegende Bereich der Epitaxieschicht (30b; 33a; 37a) eine Membranfunktion aufweist.
(EN)Disclosed is a micromechanical device, more particularly, a micromechanical cantilever sensor, comprising a semiconductor substrate (10) with a basic doping, at least one doping area (20, 22; 25; 28) applied therein differing from the basic doping; at least one epitaxial layer (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b) lying above the doping area (20, 22; 25; 28) of the substrate (10) and a hollow space (50) beneath one of the epitaxial layers (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b), wherein the area of the epitaxial layer (30b; 33a; 37a) located above the hollow space has a membrane function.
(FR)L'invention concerne un dispositif micromécanique, notamment un détecteur en cantilever micromécanique, comportant un substrat semi-conducteur (10) pourvu d'un dopage de base, au moins une région de dopage (20, 22; 25; 28) y étant ménagée différant du dopage de base; au moins une couche épitaxiale (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b) située au-dessus de la région de dopage (20, 22; 25; 28) du substrat (10); et un espace creux (50) se trouvant sous l'une (30b; 33a; 37a) des couches épitaxiales (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b), la région de la couche épitaxiale (30b; 33a; 37a) située au-dessus de l'espace creux (50) jouant le rôle d'une membrane.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)