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1. (WO1999032570) COMPOSITION POUR POLISSAGE MECANIQUE ET CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/032570    N° de la demande internationale :    PCT/SE1998/002370
Date de publication : 01.07.1999 Date de dépôt international : 18.12.1998
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : AKZO NOBEL N.V. [NL/NL]; P.O. Box 9300 NL-6800 SB Arnhem (NL) (Tous Sauf US).
EKA CHEMICALS AB [SE/SE]; S-445 80 Bohus (SE) (SE only).
BERGÖÖ, Peter [SE/US]; (US) (US Seulement).
LARSSON, Kenneth, Olof [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
TOKARZ, Bozena [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : BERGÖÖ, Peter; (US).
LARSSON, Kenneth, Olof; (SE).
TOKARZ, Bozena; (SE)
Mandataire : NYANDER, Johan; Eka Chemicals AB Patent Dept. P.O. Box 11556 S-100 61 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
60/071,291 23.12.1997 US
09/009,919 21.01.1998 US
Titre (EN) A COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
(FR) COMPOSITION POUR POLISSAGE MECANIQUE ET CHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Use of a complexing agent in a composition comprising amorphous silica for chemical mechanical polishing of a semiconductor substrate, for the purpose of avoiding metal contamination of said semiconductor substrate. A composition for chemical mechanical polishing of semiconductor substrates, which composition contains amorphous silica, ammonium ions, and a sequestering agent, and a method in which such a composition is used to polish a semiconductor substrate.
(FR)Cette invention concerne un agent complexant que l'on utilise dans une composition comprenant une silice amorphe et servant à effectuer un polissage chimique et mécanique d'un substrat semi-conducteur. Cet agent permet d'éviter toute contamination métallique du substrat semi-conducteur. Cette invention concerne également une composition de polissage mécanique et chimique de substrats semi-conducteurs, laquelle composition comprend une silice amorphe, des ions ammonium ainsi qu'un agent séquestrant. Cette invention concerne enfin un procédé dans lequel on utilise une telle composition afin de polir un substrat semi-conducteur.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)