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1. WO1999014804 - SUBSTRAT COMPOSITE Si ET GE COPLANAIRE ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT

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Numéro de publication WO/1999/014804
Date de publication 25.03.1999
N° de la demande internationale PCT/US1998/018715
Date du dépôt international 08.09.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 25.03.1999
CIB
H01L 21/20 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/8258 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
8258le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 ou H01L21/8256229
H01L 23/522 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02433
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02433Crystal orientation
H01L 21/0245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02441Group 14 semiconducting materials
0245Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/0251
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
0251Graded layers
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02546
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02546Arsenides
Déposants
  • MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US]/[US]
Inventeurs
  • FITZGERALD, Eugene, A.
Mandataires
  • CONNORS, Matthew, E.
  • HAMMOND, Andrew
Données relatives à la priorité
60/059,09116.09.1997US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CO-PLANAR Si AND Ge COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE Si ET GE COPLANAIRE ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
front page image
Abrégé
(EN) A semiconductor structure including a silicon wafer having silicon regions, and at least one GexSi1-x region integrated within the silicon regions. The silicon and GexSi1-x regions can be substantially co-planar surfaces. The structure can include at least one electronic device configured in the silicon regions, and at least one electronic device of III-V materials configured in said at least one GexSi1-x region. The structure can be, for example, an integrated III-V/Si semiconductor microchip. In accordance with another embodiment of the invention there is provided a method of fabricating a semiconductor structure, including providing a silicon wafer with a surface; forming a pattern of vias within the surface of the wafer; and depositing regions of GexSi1-x within the vias. The method can include the step of processing the wafer so that the wafer and GexSi1-x regions have substantially co-planar surfaces. Another embodiment provides a method of fabricating a semiconductor structure, including providing a silicon wafer with a surface; depositing regions of GexSi1-x to the surface of the silicon wafer; and depositing silicon to the surface such that the deposited GexSi1-x regions are integrated within silicon.
(FR) L'invention concerne une structure de semiconducteur comprenant une tranche de silicium présentant des zones de silicium, et au moins une zone de GexSi1-x se trouvant parmi les zones de silicium. Les zones de silicium et de GexSi1-x peuvent être des surfaces sensiblement coplanaires. La structure de l'invention peut comporter au moins un dispositif électronique configuré dans les zones de silicium, et au moins un dispositif électronique en matériaux des groupes III à V configuré dans la zone de GexSi1-x. La structure peut être, par exemple, un microcircuit à semiconducteur de type III-V/Si. Un autre mode de réalisation de l'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure de semiconducteur, consistant à se doter d'une tranche de silicium présentant une surface; à disposer des traversées dans la surface de la tranche; et à déposer dans ces traversées des zones de GexSi1-x. Le procédé peut comprendre une étape de traitement de la tranche de manière que la tranche et les régions de GexSi1-x présentent des surfaces sensiblement coplanaires. Un autre mode de réalisation de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de semiconducteur, consistant à se doter d'une tranche de silicium présentant une surface; à déposer des zones de GexSi1-x sur la surface de la tranche de silicium; et à déposer du silicium sur la surface de manière que les zones dans lesquels on a déposé du GexSi1-x soient incorporées dans le silicium.
Documents de brevet associés
EP1036412
CA2302758
US20010006249
JP2001516971
US6171936
KR1020010024041
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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