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1. WO1999012215 - CONDENSATEUR BLINDE A CIRCUIT INTEGRE

Numéro de publication WO/1999/012215
Date de publication 11.03.1999
N° de la demande internationale PCT/US1998/016874
Date du dépôt international 13.08.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 16.03.1999
CIB
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 28/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
Déposants
  • CARDIAC PACEMAKERS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • LINDER, William, J.
  • HARGUTH, Robert, S.
Mandataires
  • VIKSNINS, Ann, S.
Données relatives à la priorité
08/924,45629.08.1997US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SHIELDED INTEGRATED CIRCUIT CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR BLINDE A CIRCUIT INTEGRE
Abrégé
(EN) An integrated circuit (IC) capacitor offers reduced sensitivity to parasitic capacitance, reduced-size, and increased noise immunity, such as for use in digital-to-analog converters (DACs), analog-to-digital converters (ADCs), switched-capacitor filters, and other IC circuits. The capacitor includes a first polysilicon layer, a superjacent second polysilicon layer separated from the first polysilicon layer by an insulator, and an overlying metal layer separated from the second polysilicon layer by an insulator. The metal layer provides a shield that is connected to a known voltage, or to the first polysilicon layer. When connected to the first polysilicon layer, the overlying metal layer also provides additional parallel capacitance, thereby reducing the integrated circuit area of the capacitor. In one example, the overlying metal layer is a second metal layer that is also used, together with a first metal layer, for interconnecting IC components.
(FR) Cette invention a trait à un condensateur à circuit intégré (CI), de petite taille, faisant montre d'une sensibilité réduite à la capacité parasite et doté d'une immunité au bruit renforcée, du type de ceux que l'on utilise dans des convertisseurs numérique-analogique, analogique-numérique, dans des filtres à capacités commutées et dans d'autres circuits CI. Ce condensateur est pourvu d'une première couche de silicium polycristallin et d'une seconde couche identique venant se superposer à la première dont elle est séparée par un isolant ainsi que d'une pellicule métallique sus-jacente séparée de la seconde couche de silicium par un isolant. Cette pellicule métallique constitue un blindage qui est connecté à une source de tension connue ou à la première couche de silicium polycristallin. Si la pellicule métallique est connectée à la première couche de silicium, elle fournit, de surcroît, une capacité parallèle supplémentaire, ce qui permet de réduire la superficie du circuit intégré du condensateur. Dans une réalisation, la pellicule métallique consiste en une seconde pellicule métallique que l'on utilise également, de concert avec la première pellicule métallique, pour relier des constituants de CI.
Documents de brevet associés
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