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1. WO1999004431 - CIRCUIT INTEGRE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/1999/004431
Date de publication 28.01.1999
N° de la demande internationale PCT/DE1998/001312
Date du dépôt international 11.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.12.1998
CIB
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/485 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
CPC
H01L 21/76819
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76819Smoothing of the dielectric
H01L 23/485
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
482consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
485consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 2924/3011
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
30Technical effects
301Electrical effects
3011Impedance
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • SCHWALKE, Udo [DE]/[DE] (UsOnly)
  • LUDWIG, Burkhard [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • SCHWALKE, Udo
  • LUDWIG, Burkhard
Données relatives à la priorité
197 30 974.718.07.1997DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CIRCUIT INTEGRE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé
(DE)
In einem Substrat (1) ist ein dotiertes Gebiet (3) vorgesehen. An der Oberfläche des Substrats (1) ist eine Ebene mit leitenden Nutzstrukturen (71) und einer leitenden Füllstruktur (72) angeordnet. Die leitende Füllstruktur (72) ist mit dem dotierten Gebiet (10, 3) leitend verbunden. Auf diese Weise wird eine Aufladung der leitenden Füllstruktur (72), die zur Verbesserung der Planarität der Schaltungsanordnung vorgesehen und keine schaltungstechnische Funktion hat, vermieden.
(EN)
The invention provides for a doped area (3) of a substrate (1). A plane with conductive usable structure (71) and a conducting filling structure (72) are arranged on the surface of said substrate (1). The conducting filling structure (72) is conductively connected with the doped area (10, 3). This enables loading of the conducting filling structure (72) to be avoided, said filling structure being provided to improve the planarity of the circuit and being devoid of any technical function therein.
(FR)
Selon l'invention, une région dopée (3) est prévue dans un substrat (1) à la surface duquel est placé un plan présentant des structures utiles conductrices (71) et une structure de remplissage conductrice (72). Cette dernière (72) est raccordée de façon conductrice à la région dopée (10, 3). Il est ainsi possible d'éviter une charge de la structure de remplissage conductrice (72) qui est prévue pour améliorer la planéité du circuit et ne présente aucune fonction technique pour le circuit.
Également publié en tant que
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