(EN) Sputter target, method of manufacture of same and sputter coating process using the target as a sputtering source are disclosed. The sputter target comprises an Me/Si multi-phase, consolidated blend wherein the Si component is present in a very small amount of about trace -.99 mole Si:1 mole Me. Preferably, Me comprises one or more of Ta, Ti, Mo, or W. The targets are made from the requisite powders via HIP consolidation to provide densities of greater than 98 % of the theoretical density. The targets are especially useful in reactive, cathodic sputtering systems employing N2 as the reactive gas to form amorphous Me/Si/N layers.
(FR) Cette invention se rapporte à une cible de pulvérisation, à son procédé de fabrication et à un processus de revêtement par pulvérisation utilisant ladite source en tant que source de pulvérisation. Cette cible de pulvérisation comporte un mélange consolidé, multiphase, d'un métal réfractaire (Me) et de silicium (Si) dans lequel le composant Si est présent en très petite quantité, pratiquement à l'état de trace, soit 0,99 mole de Si pour 1 mole de Me. De préférence, Me comporte un ou plusieurs des métaux suivants: Ta, Ti, Mo et W. On fabrique ces cibles à partir des poudres nécessaires par consolidation H.I.P. de façon à obtenir des densités supérieures ou égales à 98 % de la densité théorique. Ces cibles s'avèrent particulièrement utiles dans les systèmes réactifs de pulvérisation cathodique utilisant de l'azote diatomique (N2) en tant que gaz réactif pour former des couches amorphes de Me/Si/N.