Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 31.10.2020 à 7:00 AM CET
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO1999000851 - COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE EMETTANT UN RAYONNEMENT

Numéro de publication WO/1999/000851
Date de publication 07.01.1999
N° de la demande internationale PCT/DE1998/001749
Date du dépôt international 26.06.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.01.1999
CIB
H01L 33/10 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
10ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/14 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
14ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
CPC
H01L 33/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
10with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
105with a resonant cavity structure
H01L 33/145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
145with a current-blocking structure
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO.OHG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • EBELING, Karl, Joachim [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • EBELING, Karl, Joachim
Mandataires
  • EPPING, Wilhelm
Données relatives à la priorité
197 27 233.926.06.1997DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) BEAM-EMITTING OPTO-ELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE EMETTANT UN RAYONNEMENT
Abrégé
(DE)
Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement, bei dem in einem strahlungserzeugenden Körper (9) ein planarer optischer Wellenleiter (7) mit einer Wellenführungsschicht (3) vorgesehen ist. Die Wellenführungsschicht (3) weist eine strahlungserzeugende Zone (4) auf, in der im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Der planare optische Wellenleiter (7) weist zur Auskopplung der Strahlung aus dem Wellenleiter (7) mindestens einen lateralen Auskoppeltaper (6) auf.
(EN)
The present invention relates to a beam-emitting opto-electronic component, wherein a planar optical waveguide (7) comprising a waveguide layer (3) is provided in a radiating body (9). The layer (3) includes a radiating zone (4) in which electro-magnetic radiation is generated during the component operation. The planar optical waveguide (7) includes at least one lateral decoupling transition (6) for decoupling the radiation from said waveguide (7).
(FR)
L'invention concerne un composant optoélectronique émettant un rayonnement. Un guide d'ondes optique de type planar (7) comportant une couche de guide d'ondes (3) est prévu dans un corps (9) produisant un rayonnement. Ladite couche (3) présente une zone (4) produisant un rayonnement, dans laquelle un rayonnement électromagnétique est produit pendant le fonctionnement du composant. Le guide d'ondes optique de type planar (7) présente au moins une transition de découplage (6) latérale, pour découpler le rayonnement du guide d'ondes (7).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international