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1. (WO1998053639) ELEMENT DE CIRCUIT ELECTRIQUE OU ELECTRONIQUE EXEMPT DE PHENOMENE DE MICRO-DECHARGES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/053639    N° de la demande internationale :    PCT/FR1998/000944
Date de publication : 26.11.1998 Date de dépôt international : 12.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.11.1998    
CIB :
H04R 3/00 (2006.01)
Déposants : ELECTRICITE DE FRANCE SERVICE NATIONAL [FR/FR]; 2, rue Louis Murat, F-75008 Paris (FR) (Tous Sauf US).
JOHANNET, Pierre [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : JOHANNET, Pierre; (FR)
Mandataire : FRECHEDE, Michel; Cabinet Plasseraud, 84, rue d'Amsterdam, F-75440 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
97/06045 16.05.1997 FR
Titre (EN) ELECTRIC OR ELECTRONIC CIRCUIT ELEMENT FREE FROM MICRODISCHARGE
(FR) ELEMENT DE CIRCUIT ELECTRIQUE OU ELECTRONIQUE EXEMPT DE PHENOMENE DE MICRO-DECHARGES
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns an electric or electronic circuit element free from electric microdischarge, comprising a sealed chamber (1) provided with external connection terminals (10, 11) and defining an empty space consisting in gas residual pressure. An electric circuit connected internally to connection terminals is placed in the sealed chamber (1), thereby eliminating the electric microdischarges. The invention is applicable to reactive electric circuits encapsulated under reduced gas pressure.
(FR)L'invention concerne un élément de circuit électrique ou électronique exempt de phénomène de micro-décharges électriques. L'élément de circuit électrique ou électronique comprend une enceinte étanche (1) munie de bornes de connexion externes (10, 11) et délimitant un espace vide consistant en une pression résiduelle de gaz. Un circuit électrique connecté en interne aux bornes de connexion est placé dans l'enceinte étanche (1), les phénomènes de micro-décharges électriques étant ainsi supprimés. Application à la réalisation de circuits électriques réactifs encapsulés sous pression réduite de gaz.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)