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1. (WO1998053506) ELEMENT DE MEMOIRE FERROELECTRIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/053506    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/002207
Date de publication : 26.11.1998 Date de dépôt international : 18.05.1998
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho Ukyo-ku Kyoto-shi Kyoto 615-0045 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAMURA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIMORI, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAMURA, Takashi; (JP).
FUJIMORI, Yoshikazu; (JP)
Mandataire : FURUTANI, Hideo; No. 2 Mizukawa-Building 23-20, Esaka-cho 1-chome Suita-City Osaka 564-0063 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/133965 23.05.1997 JP
Titre (EN) FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) ELEMENT DE MEMOIRE FERROELECTRIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A ferroelectric film having a low permittivity and used for a ferroelectric memory element, and a ferroelectric film having a high melting point and used for a ferroelectric memory element. A FET (20) is constituted of a gate oxide film (24), a floating gate (26), a ferroelectric film (28) and a control gate (30) laminated in this order on a channel-forming region (CH) formed in a silicon semiconductor substrate (22). The ferroelectric film (28) is constituted of a thin film of a mixed crystal Sr¿2?(Ta¿1-x?Nb¿x?)¿2?O¿7?. Both Sr¿2?Nb¿2?O¿7? and Sr¿2?Ta¿2?O¿7? have a tetragonal crystalline structure and have nearly the same lattice constant. They have low specific inductivities and high melting points. However, Sr¿2?Nb¿2?O¿7? has too high a Curie temperature that is related to the ferroelectric property and Sr¿2?Ta¿2?O¿7? has too low a Curie temperature. Therefore, a mixed crystal Sr¿2?(Ta¿1-x?Nb¿x?)¿2?O¿7? thereof is prepared to obtain a ferroelectric film (28) having a desired Curie Temperature.
(FR)L'invention concerne une couche mince ferroélectrique présentant une faible permitivité et utilisée pour un élément de mémoire ferroélectrique, ainsi qu'une couche mince ferroélectrique présentant un point de fusion élevé et utilisée pour un élément de mémoire ferroélectrique. Un transistor à effet de champ (20) se compose d'une couche mince (24) d'oxyde de grille, d'une grille flottante (26), d'une couche mince ferroélectrique (28) et d'une grille de commande (30) stratifiées dans cet ordre sur une région formant canal (CH) formée dans un substrat (22) en semi-conducteur au silicium. La couche mince ferroéletrique (28) se compose d'une couche mince d'un crystal mixte Sr¿2?(Ta¿1-x?Nb¿x?)¿2?O¿7?. Les deux Sr¿2?Nb¿2?O¿7? et Sr¿2?Ta¿2?O¿7? présentent une strusture crystalline tétragonale et possèdent presque la même constante de réseau. Ils présentent de faibles inductivités spécifiques et des points de fusion élevés. Toutefois, le Sr¿2?Nb¿2?O¿7? présente une température de Curie trop élevée rapportée à la propriété ferroélectrique et le Sr¿2?Ta¿2?O¿7? présente une température de Curie trop basse. Par conséquent, on a préparé un crystal mixte Sr¿2?(Ta¿1-x?Nb¿x?)¿2?O¿7? pour obtenir une couche mince ferroélectrique (28) présentant une température de Curie voulue.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)