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1. (WO1998053487) PROCEDE DE PLANARISATION POUR SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/053487    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/010479
Date de publication : 26.11.1998 Date de dépôt international : 21.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.10.1998    
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83706-9632 (US)
Inventeurs : DOAN, Trung, T.; (US).
BLALOCK, Guy, T.; (US).
DURCAN, Mark; (US).
MEIKLE, Scott, G.; (US)
Mandataire : BOND, Laurence, B.; Trask, Britt & Rossa P.O. Box 2550 Salt Lake City, UT 84110 (US)
Données relatives à la priorité :
08/862,752 23.05.1997 US
Titre (EN) PLANARIZATION PROCESS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PROCEDE DE PLANARISATION POUR SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing semiconductor devices using an improved chemical mechanical planarization processes for the planarization of the surfaces (24) of the wafer (60) on which the semiconductor devices (22) are formed. The improved chemical mechanical planarization process includes the formation of a flat planar surface from a deformable coating (30) on the surface of the wafer filling in between the surface irregularities prior to the planarization of the surface through chemical mechanical planarization process.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs employant un procédé amélioré de planarisation chimiques mécaniques en vue de la planarisation des surfaces (24) de la tranche (60) sur laquelle les dispositifs semi-conducteurs (22) sont formés. Le procédé amélioré de planarisation chimique mécanique comporte l'étape consistant à former une surface planaire plate à partir d'un revêtement (30) déformable sur la surface de la tranche, ce revêtement remplissant les irrégularités de surface, avant d'effectuer la planarisation de la surface au moyen d'un procédé de planarisation chimique mécanique.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)