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1. (WO1998053484) APPAREIL DE TRAITEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/053484    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/002094
Date de publication : 26.11.1998 Date de dépôt international : 12.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.08.1998    
CIB :
H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
HAYASHI, Kazuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYASHI, Kazuichi; (JP)
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; Suzuye & Suzuye, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/145856 20.05.1997 JP
Titre (EN) PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A processing apparatus includes a susceptor provided in a processing chamber and having an upper surface with a support area on which a semiconductor wafer is placed, and an aligning ring member movably arranged on the upper surface of the susceptor to surround the support area, the ring member defining the shift of the wafer placed on the support area and formed of a material having a thermal expansion coefficient smaller than that of the susceptor. A plurality of projections are provided on the peripheral portion of the upper surface of the susceptor at intervals along the ring member. A plurality of slots are provided in the aligning ring member for receiving the corresponding projections. The slots permit relative movement of the projection received therein in a radial direction of the ring member, but prohibit relative movement of the projections received therein in a rotating direction of the ring member as a whole.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement qui comprend un matériau interactif placé dans une chambre de traitement et présentant une surface supérieure pourvue d'une zone de support sur laquelle est placée une tranche de semi-conducteur. Un élément annulaire d'alignement est placé, de façon à pouvoir se déplacer, sur la surface supérieure du matériau interactif, de façon à entourer la zone de support, cet élément annulaire définissant le décalage de la tranche de semi-conducteur placée sur la zone de support et étant constitué d'un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est plus petit que celui du matériau interactif. Une pluralité de parties saillantes sont situées sur la partie périphérique de la surface supérieure du matériau interactif, à certains intervalles, sur la circonférence de l'élément annulaire. Une pluralité de fentes sont ménagées dans l'élément annulaire d'alignement et destinées à recevoir les parties en saillie correspondantes. Les fentes permettent un déplacement relatif, dans le sens radial de l'élément annulaire, des parties saillantes qu'elles reçoivent, mais elle empêchent le déplacement relatif de ces parties saillantes dans le sens de rotation de l'élément annulaire dans son ensemble.
États désignés : JP, KR, US.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)