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1. (WO1998053122) DISPOSITIF DE SOLIDIFICATION ET DE CONTROLE EN CONTINU DE LA CROISSANCE CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/053122    N° de la demande internationale :    PCT/FR1998/000976
Date de publication : 26.11.1998 Date de dépôt international : 15.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.11.1998    
CIB :
C30B 11/00 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération, F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
CENTRE NATIONAL D'ETUDES SPATIALES [FR/FR]; 2, place Maurice Quentin, F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
KERNEVEZ, Nelly [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
WALES, Bernard [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BORGIS, André [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ROLLAND, Emmanuel [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : KERNEVEZ, Nelly; (FR).
WALES, Bernard; (FR).
BORGIS, André; (FR).
ROLLAND, Emmanuel; (FR)
Mandataire : BREVATOME; 25, rue de Ponthieu, F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
97/06046 16.05.1997 FR
Titre (EN) DEVICE FOR SOLIDIFICATION AND CONTINUOUS CONTROL OF CRYSTAL GROWTH
(FR) DISPOSITIF DE SOLIDIFICATION ET DE CONTROLE EN CONTINU DE LA CROISSANCE CRISTALLINE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a device for the solidification and continuous control of crystal growth in an electrically conductive doped material or alloy, based on a liquid or a molten bath, for continuously monitoring crystal growth in said doped material or alloy, in particular for continuously monitoring the dope content in the doped material or the alloyed element content in the alloy. The device is characterised in that it has two cavities using the 'Seebeck Monogradient' process whereby the means for electrically short circuiting a first liquid of the non-doped material or the pure unalloyed element in thermal equilibrium with a first solid thereof, and a second liquid of said doped material or of said alloy in thermal equilibrium with a second solid thereof, consist in an isothermal and conductive passage with reduced dimension, connecting the two cavities.
(FR)La présente invention a pour objet un dispositif de solidification et de contrôle en continu de la croissance cristalline d'un matériau dopé ou d'un alliage, conducteurs de l'électricité, à partir d'un liquide ou bain fondu, permettant le contrôle en continu de la croissance cristalline de ce matériau dopé ou de cet alliage, en particulier le contrôle en continu de la teneur en dopant du matériau dopé ou de la teneur en élément allié de l'alliage. Le dispositif selon l'invention est un dispositif à deux cavités faisant appel au procédé 'Seebeck Monogradient' dans lequel les moyens pour mettre en court-circuit électrique d'une part un premier liquide du matériau non dopé ou du corps pur non allié en équilibre thermodynamique avec un premier solide de celui-ci, et d'autre part un second liquide dudit matériau dopé ou dudit alliage en équilibre thermodynamique avec un second solide de celui-ci, consistent en un passage de dimension réduite, isotherme et conducteur reliant les deux cavités.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)