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1. (WO1998053117) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DE FILMS DIELECTRIQUES SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/053117    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/010516
Date de publication : 26.11.1998 Date de dépôt international : 21.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.12.1998    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Inventeurs : LANTSMAN, Alexander, D.; (US)
Mandataire : SUMME, Kurt, A.; Wood, Herron & Evans, L.L.P., 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US)
Données relatives à la priorité :
08/861,649 22.05.1997 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR SPUTTER DEPOSITING DIELECTRIC FILMS ON A SUBSTRATE
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DE FILMS DIELECTRIQUES SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus and method for sputter depositing a layer of material comprises a sputtering chamber (10) having an internal conductive wall (12) which provides an electrical reference for plasma during sputter deposition. A conductive shield (32) positioned in the processing space (14) of the chamber (10) between the target (20) and the substrate (24) is configured for capturing sputtered material which would deposit on the chamber wall surface (12) during sputter deposition. The conductive shield (32) reduces the amount of sputtered material (40) depositing on the chamber wall (12) and maintains a surface portion of the wall (12) as a generally stable electrical reference for the plasma and is further operable for passing plasma therethrough during deposition to contact the stable electrical reference.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé de dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche de matériau, lequel appareil comprend une chambre de pulvérisation (10) pourvue d'une paroi (12) intérieure conductrice qui sert de référence électrique pour le plasma lors du dépôt par pulvérisation cathodique. Un blindage (32) conducteur disposé dans l'espace de traitement (14) de la chambre (10) entre la cible (20) et le substrat (24) est configuré de manière à piéger le matériau pulvérisé qui se déposerait sur la surface (12) de la paroi de la chambre lors du dépôt par pulvérisation. Le blindage (32) conducteur réduit la quantité de dépôt de matériau pulvérisé (40) sur la paroi (12) de la chambre et garde une partie superficielle de la paroi (12) comme référence électrique généralement stable pour le plasma. En outre, cet écran sert à laisser passer le plasma lors du dépôt de manière que le plasma vienne au contact de la référence électrique stable.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)