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1. (WO1998053116) PROCEDE ET APPAREIL DE PULVERISATION A BASSE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/053116    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/010417
Date de publication : 26.11.1998 Date de dépôt international : 21.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.11.1998    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Inventeurs : LANTSMAN, Alexander, D.; (US)
Mandataire : JORDAN, Joseph, R.; Wood, Herron & Evans, L.L.P., 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US).
LLOYD WISE, TREGEAR & CO.; Commonwealth House, 1-19 New Oxford Street, London WC1A 1LW (GB)
Données relatives à la priorité :
08/861,958 22.05.1997 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR LOW PRESSURE SPUTTERING
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE PULVERISATION A BASSE PRESSION
Abrégé : front page image
(EN)Sputtering processes are carried out at low pressure (61b), of less than one milli-Torr, particularly in the range of 0.05 to 0.5 mTorr, to reduce scattering of the sputtered particles due to collisions with atoms of the process gas, particularly for coating contacts at the bottoms of sub-micron sized holes of high aspect ratios. The sputtering is made possible by provision for a supplemental RF plasma generating source (35) by which RF energy is reactively coupled into the gas within the chamber (12) in close proximity to the surface of a sputtering target (16), preferably adjacent the periphery thereof. The pressure (61) in the chamber as well as the power to an RF electrode (30) by which the supplemental plasma is energized and the DC power (63) by which the main target (16) is energized are dynamically controlled so that the plasma is sustained at low pressure (61b). First, the pressure in the chamber is raised to above 1 mTorr while the RF power (62) on the supplemental electrode (30) is applied to ignite the plasma, then this RF power is reduced and DC power (63) on the target is increased to an operating level (63a), whereupon the pressure in the chamber is reduced to below 1 mTorr for the low pressure sputtering of the wafer.
(FR)L'invention concerne des procédés de pulvérisation mis en oeuvre à des basses pressions (61b) inférieures à un millitorr, en particulier à des pressions de l'ordre de 0,05 à 0,5 mtorr, pour permettre de réduire la dispersion des particules pulvérisées due à des collisions avec des atomes du gaz de traitement, et servant en particulier à recouvrir des contacts situés au fond de trous sub-microniques à rapport de forme élevé. La pulvérisation est rendue possible par apport d'une source (35) de production de plasma HF supplémentaire, au moyen de laquelle de l'énergie HF est couplée de façon réactive dans le gaz à l'intérieur de l'enceinte (12) à proximité immédiate de la surface d'une cible (16) de pulvérisation, de préférence de façon adjacente à la périphérie de celle-ci. La pression (61) dans l'enceinte, ainsi que la puissance appliquée à une électrode (30) HF au moyen de laquelle le plasma supplémentaire est excité, et l'alimentation en courant continu (63) par laquelle la cible (16) principale est excitée, sont commandées de façon dynamique de sorte que le plasma est maintenu à basse pression (61b). La pression dans l'enceinte est d'abord élevée à plus de 1mtorr au moment de l'application de tension (62) HF sur l'électrode (30) supplémentaire pour allumer le plasma; puis la puissance HF est réduite, et la tension de courant continu (63) sur la cible est accrue à un niveau (63a) opérationnel, après quoi la pression dans l'enceinte est réduite à moins d'un mtorr en vue de la pulvérisation de la tranche à basse pression.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)