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1. (WO1998052390) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR MODULE DE TRAITEMENT AU PLASMA EN GRANDE QUANTITE POUVANT UTILISER TOUTE MATIERE PREMIERE D'ALIMENTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/052390    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/008121
Date de publication : 19.11.1998 Date de dépôt international : 14.05.1997
CIB :
C23C 14/32 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : EASTLUND, Bernard, John [US/US]; (US)
Inventeurs : EASTLUND, Bernard, John; (US)
Mandataire : MIMS, Peter, E.; Vinson & Elkins L.L.P., 2300 First City Tower, 1001 Fannin, Houston, TX 77002 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR A LARGE VOLUME PLASMA PROCESSOR THAT CAN UTILIZE ANY FEEDSTOCK MATERIAL
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR MODULE DE TRAITEMENT AU PLASMA EN GRANDE QUANTITE POUVANT UTILISER TOUTE MATIERE PREMIERE D'ALIMENTATION
Abrégé : front page image
(EN)This invention utilizes a large volume plasma processor, which comprises a toroidal containment vessel (11), iron core yoke and field bias coils (15, 25), verticle field coils (23) and antenna (31), to completely ionize any feedstock material input via injector (30) and deposit the ionized and unionized species of elements of the feedstock material on deposition stages (45). Apparatus is provided for generating a toroidal, high temperature, low density plasma in the plasma processor. Key aspects of the method provide for (a) controlling temperature by rapid heating via ohmic heating coils (21, 41) and (b) maintaining toroidal plasma current by rapid application of increased driving voltages. The invention provides a large surface area source of any desired elements to increase safety and thruput in microchip fabrication. Other applications include nanotechnology fabrication and improvement of surface properties of materials.
(FR)L'invention concerne un module de traitement au plasma en grande quantité comprenant un récipient (11) de confinement toroïdal, une culasse à noyau de fer et des bobines (15, 25) de polarisation de champs, des bobines (23) à champs verticaux et une antenne (31) afin d'ioniser complètement toute matière première d'alimentation introduite par un injecteur (30) et de déposer des éléments ionisés ou non ionisés de matière première d'alimentation sur des étages (45) de dépôt. Un dispositif permet de produire du plasma toroïdal à haute température et faible densité dans le module de traitement au plasma. Le procédé permet aussi notamment de (a) réguler la température par un chauffage rapide via des bobines (21, 41) de résistances chauffantes et (b) d'entretenir un courant de plasma toroïdal par l'application rapide de tensions d'accélération accrue. L'invention permet d'obtenir une source à grande surface de n'importe quel élément souhaité, conçue pour augmenter la sécurité et le rendement dans la fabrication de micropuces. D'autres applications comprennent la fabrication en technologie nanométrique et l'amélioration des propriétés de la surface des matières.
États désignés : CA, JP, RU.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)