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1. (WO1998052216) PROCEDE DE CLIVAGE CONTROLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/052216    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/009567
Date de publication : 19.11.1998 Date de dépôt international : 11.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.12.1998    
CIB :
B26D 3/28 (2006.01), B26F 3/00 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/425 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SILICON GENESIS CORPORATION [US/US]; 590 Division Street, Campbell, CA 95008 (US) (Tous Sauf US).
HENLEY, Francois, J. [CA/US]; (US) (US Seulement).
CHEUNG, Nathan, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HENLEY, Francois, J.; (US).
CHEUNG, Nathan, W.; (US)
Mandataire : OGAWA, Richard, T.; Townsend and Townsend and Crew LLP, 8th floor, Two Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
60/046,276 12.05.1997 US
09/026,115 19.02.1998 US
09/026,027 19.02.1998 US
Titre (EN) A CONTROLLED CLEAVAGE PROCESS
(FR) PROCEDE DE CLIVAGE CONTROLE
Abrégé : front page image
(EN)A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of introducing energetic particles (22) in a selected manner through a surface of a donor substrate (10) to a selected depth (20) underneath the surface, where the particles have a relatively high concentration to define a donor substrate material (12) above the selected depth and the particles for a pattern at the selected depth. An energy source such as pressurized fluid is directed to a selected region of the donor substrate to initiate a controlled cleaving action of the substrate (10) at the selected depth (20), whereupon the cleaving action provides an expanding cleave front to free the donor material from a remaining portion of the donor substrate.
(FR)Technique permettant de former une couche de matériau (12) à partir d'un substrat donneur (10). La technique comprend une étape consistant à introduire sélectivement des particules énergétiques (22), à travers la surface d'un substrat donneur (10), jusqu'à une profondeur sélectionnée (20) sous la surface, où les particules ont une concentration relativement élevée, de façon à définir un matériau substrat donneur (12) au-dessus de la profondeur sélectionnée et un motif au niveau de ladite profondeur. On dirige une source d'énergie, telle qu'un fluide sous pression, sur une zone sélectionnée du substrat donneur (10), de façon à amorcer un clivage contrôlé de ce dernier à la profondeur sélectionnée (20). Le processus de clivage génère ensuite un front de clivage, qui se propage et libère ainsi le matériau donneur de la partie restante dudit substrat.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)