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1. (WO1998052112) CIRCUIT DIVISEUR DE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/052112    N° de la demande internationale :    PCT/IB1998/000640
Date de publication : 19.11.1998 Date de dépôt international : 27.04.1998
CIB :
G05F 3/24 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : WOMACK, Richard, H.; (NL)
Mandataire : KOPPEN, Jan; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
08/854,712 12.05.1997 US
Titre (EN) BIAS GENERATOR FOR A LOW CURRENT DIVIDER
(FR) CIRCUIT DIVISEUR DE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A voltage divider is protected from current paths created by parasitic devices. The voltage divider includes a first string of diode-connected MOS transistors and a second string of diode-connected MOS transistors. A substrate bias terminal of each transistor in the first string is coupled to a substrate bias terminal of a corresponding transistor in the second string. The first string of transistors provides an output voltage which is protected from current paths created by parasitic devices.
(FR)Un diviseur de tension est protégé des passages de courant créés par des dispositifs parasites. Ledit diviseur de tension comporte une première et une deuxième chaîne de transistors MOS montés en diodes. Une borne de polarisation de substrat de chaque transistor de la première chaîne est couplée à une borne de polarisation de substrat du transistor correspondant de la deuxième chaîne. La première chaîne de transistors produit une tension de sortie qui est protégée des passages de courant créés par des dispositifs parasites.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)