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1. (WO1998051506) PROCEDE DE FORMATION D'AJUTAGE POUR INJECTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TETE A JET D'ENCRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/051506    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/002108
Date de publication : 19.11.1998 Date de dépôt international : 13.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.12.1998    
CIB :
B41J 2/16 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163-0811 (JP) (Tous Sauf US).
MAKIGAKI, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEKOSHI, Taro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJII, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAHARA, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJITA, Seiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAKIGAKI, Tomohiro; (JP).
TAKEKOSHI, Taro; (JP).
FUJII, Masahiro; (JP).
KITAHARA, Koji; (JP).
FUJITA, Seiichi; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Kisaburo; Seiko Epson Corporation, Intellecutal Property Dept., 3-5, Owa 3-chome, Suwa-shi, Nagano-ken 392-8502 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/124573 14.05.1997 JP
10/6687 16.01.1998 JP
10/20550 02.02.1998 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING NOZZLE FOR INJECTORS AND METHOD OF MANUFACTURING INK JET HEAD
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'AJUTAGE POUR INJECTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TETE A JET D'ENCRE
Abrégé : front page image
(EN)A cross-sectionally stepped nozzle (21) having a nozzle portion (21a) of a smaller cross-sectional area provided at a front part with respect to the jetting direction and a nozzle portion (21b) of a larger cross-sectional area provided at a rear part with respect thereto is formed by etching a silicon wafer (200) on which a nozzle plate (2) is to be formed. A method of forming the nozzle (21) comprises forming a resist film (210) on a surface (200a) of a silicon wafer (200), subjecting this resist film (210) to patterning by half etching and patterning by full etching, subjecting the resultant product to anisotropic dry etching by ICP discharge to form a groove in a full etched portion, removing the resist film on the half etched portion by etching, and subjecting the same portion to anisotropic dry etching again by ICP discharge. Consequently, a nozzle having a stepped cross-sectional shape and a large effect in aligning the direction of a pressure, which is applied from the side of a cavity to the nozzle, parallel to the axis of the nozzle can be formed simply and efficiently on a single-crystal silicon substrate.
(FR)L'invention porte sur un ajutage (21) de coupe transversale en gradin et possédant une partie (21a) de surface, en coupe transversale, plus petite se trouvant au niveau d'une partie avant par rapport au sens du jet, et une partie (21b) de surface, en coupe transversale, plus grande se trouvant au niveau d'une partie arrière. Cet ajutage est obtenu par attaque chimique d'une tranche de silicium (200) sur laquelle doit être formée une plaque (2). L'invention porte également sur un procédé de fabrication de cet ajutage (21) qui consiste à: former un film de réserve (210) sur une surface (200a), soumettre ce film à une semi-attaque chimique et à une attaque complète pour former des motifs, soumettre le produit obtenu à une attaque à sec anisotrope par décharge ICP de façon à former une gorge dans une partie ayant subi une attaque complète, à retirer le film de réserve sur la partie semi-attaquée et à soumettre cette même partie à une attaque à sec anisotrope, à nouveau par décharge ICP. En conséquence, il est possible de former, de manière simple et efficace, sur un substrat de silicium à cristal unique, un ajutage ayant une forme en coupe transversale en gradin et un effet important dans l'alignement de la pression, parallèle à l'axe de l'ajutage, cette pression étant appliquée sur l'ajutage depuis le côté d'une cavité.
États désignés : KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)