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1. (WO1998051071) PROCEDE DE GENERATION DE SOURCE DE COURANT ET DE TENSION DE SEUIL ET APPAREIL POUR CIRCUIT VIDEO DE TYPE HHK
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/051071    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/008869
Date de publication : 12.11.1998 Date de dépôt international : 01.05.1998
CIB :
G05F 1/56 (2006.01), H04N 5/08 (2006.01)
Déposants : SONY ELECTRONICS INC. [US/US]; 1 Sony Drive Park Ridge, NJ 07656 (US) (Tous Sauf US).
NAYEBI, Mehrdad [US/US]; (US) (US Seulement).
NGO, Duc [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NAYEBI, Mehrdad; (US).
NGO, Duc; (US)
Mandataire : HAVERSTOCK, Thomas, B.; Haverstock & Owens LLP Suite 420 260 Sheridan Avenue Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
08/853,046 08.05.1997 US
08/848,387 08.05.1997 US
Titre (EN) CURRENT SOURCE AND THRESHOLD VOLTAGE GENERATION METHOD AND APPARATUS TO BE USED IN A CIRCUIT FOR REMOVING THE EQUALIZATION PULSES IN A COMPOSITE VIDEO SYNCHRONIZATION SIGNAL
(FR) PROCEDE DE GENERATION DE SOURCE DE COURANT ET DE TENSION DE SEUIL ET APPAREIL POUR CIRCUIT VIDEO DE TYPE HHK
Abrégé : front page image
(EN)A current source and threshold voltage generation circuit generates a current, through a ratio of devices, and a corresponding threshold voltage signal, to be utilized by a timing circuit for generating a timing ramp and determining when the timing ramp crosses the threshold voltage signal. The current is generated through a current generation circuit, using a ratio of matched devices. Preferably, the matched devices are transistors. The current is then utilized by a timing circuit to charge a charge storage device to a level above the level of the threshold voltage signal. The current is also mirrored, appropriately increased and used to generate the threshold voltage signal which is compared to the charge stored on the charge storage device. Accordingly, any errors in the generation of the current are also reflected in the level of the threshold voltage signal, thereby eliminating the potential for errors in the timing ramp signal generated by the timing circuit. Preferably, the charge storage device (C1) is a capacitor and the timimg circuit is an HHK video circuit. The preferred embodiment of the current source and threshold voltage generation circuit is implemented within an integrated circuit and does not require any external components.
(FR)Selon cette invention, un circuit de génération de source de courant et de tension de seuil génère un courant, en passant par un rapport de dispositifs, ainsi qu'un signal correspondant de tension de seuil, destinés à être utilisés par un circuit de temporisation pour générer une rampe de temporisation et déterminer le moment auquel la rampe de temporisation croise le signal de tension de seuil. Le courant est généré au moyen d'un circuit de génération de courant, à l'aide d'un rapport de dispositifs appariés qui sont, de préférence, des transistors. Un circuit de temporisation utilise ensuite ledit courant pour charger un dispositif de stockage de charge à un niveau supérieur à celui du signal de tension de seuil. On procède également au miroitage du courant, qui est augmenté de manière appropriée et utilisé pour générer le signal de tension de seuil, comparé à la charge stockée dans le dispositif de stockage de charge. De ce fait, toute erreur de génération de courant est également réfléchie par le niveau du signal de tension de seuil, ce qui élimine le potentiel d'erreurs dans le signal de rampe de temporisation, généré par le circuit de temporisation. De préférence, le dispositif de stockage de charge (C1) est un condensateur, et le circuit de temporisation est un circuit vidéo de type HHK. Dans le mode de réalisation préféré, le circuit de génération de source de courant et de tension de seuil est réalisé à l'intérieur d'un circuit intégré et ne demande aucun composant extérieur.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)